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《电子技术基础》课程习题集
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习题
【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题
1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是UB=1.2V，UE=0.5V，UC=3V，该三极管处在（）状态。
A.击穿B.截止C.放大D.饱和
2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性
3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子
4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流IB=10μA时，IC=1mA；而IB=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.180
6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区
7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：UB=2.8V，UE=2.1V，UC＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿
10.P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于
11.N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素
12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏
13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
A.P型半导体带正电，N型半导体带负电B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态
C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用D.以上说法都是错误的
14.PN结加正向电压时，空间电荷区将()。
A.变窄B.基本不变C.变宽D.不确定
15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将()
A增大B减小C不变D等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。
A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是（）。
A.差模输入信号与共模输入信号之比
B.输入量中差模成份与共模成份之比
C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
19.共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（）。
A.90°B.180°C.60°D.30°
20.收音机寻找要听的电台，利用的是（）原理。
A.自激B.调谐C.整流D.稳压
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（）
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是（）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
C.电压放大倍数为0，输出电阻低，输入电阻高
D.以上说法都不对
24.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时Q将()。
A.不改变B.向Q'移动C.向Q''移动D.向右平移

25.电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流IC减小，则应（〕。
A.保持UCC，RB一定，减小RCB.保持UCC，RC一定，增大RB
V.保持RB，RC一定，增大UCCD.保持RC一定，增大UCC，RB

26.理想运算放大器的（）。
A.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻等于零
B.差模输入电阻等于零，开环输出电阻等于零
C.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻趋于无穷大
D.差模输入电阻等于零，开环输出电阻趋于无穷大
27.同相比例运算放大器中的反馈类型为（）。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
28.（）比例运算电路的比例系数大于1。
A.反相B.同相C.A和B都可以D.A和B都不行
29.在图所示电路中，A为理想运放。输出电压uo应等于（）。
A.0.5VB.1VC.2VD.3V

30.欲将三角波电压转换成方波电压，应选