电力电子技术试题20套及答案.doc

考试试卷(1)卷
一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）
1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；
(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；

二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）
1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）
A、V1与V4导通，V2与V3关断
B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断
C、V1与V4关断，V2与V3导通
D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断
2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（C）
A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度
B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作
C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度
D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度
3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
A、1个B、2个C、3个D、4个

4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）
A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变
C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变

5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）
A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°
6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（A）
A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断
C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
7、直流斩波电路是一种（C）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC
8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（B）
A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A）
A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下
10、IGBT是一个复合型的器件，它是（B）
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
三、简答题（共3小题，22分）
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分）

2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）

3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）

四、作图题（共2小题，每题12分，共24分）
1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是D,y5，采用NPN管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后（滞后角为30°）接到触发电路。同步变压器的的接法为Y/Y-10，4接法，如下图所示，选择晶闸管的同步电压。（要给出分析过程，分析依据）
晶闸管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw-Uv同步电压
2、电路与波形如