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电阻的用法
一、RC-SNUBBER电路
Snubber电路中文为吸收电路。公司的板子上，其最常应用场合如下图所示。

VCC5

R398.2K1%+CE33+CE34C135C1361C37

1220uF10V220uF10V22uF25V22uF25V0.1uF16V
C401000PF50V
4

DQ14

1GFDD8880
R440Ω5%SMAX:11A
UGATE_UEOCP:13AVCC1_8DDR
3L41.7uH,13A,DCR6.36mΩ
12
4

DQ15R46

FDD88962.2Ω5%+CE35+CE361C45C1461C47
LGATE_UE1GR4810uF16V
S

1C48470uF4V470uF4V22uF25V0.1uF16V
R49X_10K1%

31000PF50V2.21K1%
C49
1
X_0.01uF25V
C52112PF50V
UD_COMP

R5033K5%C5410.01uF50V

R51
1.78K1%

为了便于说明问题，将上图简化。

实际的没有snubber的电路中各点的波形如下图所示。
从上图的波形即客观现象表明在PHASE点会出现电压尖峰。这种尖峰会对L-MOS造成威
胁，根据电源组同事的观察，有些板子的L-MOS经常烧坏或寿命大幅缩短，就是PHASE
点电压尖峰造成的。实际测量没有SNUBBER的PHASE点波形如图所示（上图红圈内的
波形放大）。
造成电压尖峰及其危害的原因是什么呢？为了更严谨更准确说明电路的工作情况设想模型
如下。

上图分别是电路中寄生电感和MOS管极间等效电容的示意图。简化之后如下图。
+
寄生电感
v
储能大电感
PHASE
I
MOS管的等效电容
负载
滤波电容

线路上的等效电阻
-

上图虚线框内的是PHASE后的线路，由于有储能大电感的存在，瞬时变化的电流I不能通
过进入虚线框内。所以对瞬时（高频）电压电流而言，其路径只能是通过L-MOS。为了验
证这种设想的真实性，本文建立仿真模型进行验证。
2

VL1
2n

1

V1=0V1V
V2=5
TD=30ns
I
TR=
TF=500p
PW=
PER=
0R1
0.1

0V
0

电压源是一个上升沿模仿H-MOS导通的动作。电容模仿L-MOS的等效电容大概有

500pF。0V

0V0V
电感模仿电路上的寄生电感。电阻模仿线路上的等效电阻。仿真波形如下。红色为PHASE
点电压，黄色为PHASE点电流，绿色为输入电压。

和实际没有snubber电路的PHASE点波形比较。可以发现两者在波形特征是很相似的。所
以可以基本认为，设想的模型是能说明问题的。
分析产生电压尖峰的原因。将上图放大。得下图。红色为PHASE点电压，黄色为PHASE
点电流，绿色为输入电压。
时间段1（30ns~A）：H-MOS管导通，5V电压输入。寄生电感中的电流以正弦波的
形式增大。同时这个增大的电流给L-MOS的等效电容充电，使得PHASE点的电压上升。
时间段2（A~B）：当PHASE点电压达到5V时，则寄生电感两端的电压开始反向。
但寄生电感中的电流不能瞬变，而是以正弦波的形式减小。这时这个减小的电流也在给L-
MOS的等效电容充电，使得PHASE点的电压继续上升。
时间段3（B~C）：当寄生电感中的电流减小到0时，L-MOS的等效电容刚好充电到
最多的电荷形成PHASE点的电压极大值。此时PHASE点的电压大于输入电压，则电容开
始放电PHASE点电压开始减小，电感的电流反向开始增大。
时间段4（C~D）：当PHASE点电压减小到5V时，电感两端的电压有反向了，电流
（标量）开始减小，电容中的点放完，但由于电感中的电流还存在，电容被反向充电。
PHASE点电压继续下降。
综上所述，电压尖峰是由于寄生电感不能瞬变的电流给L-MOS等效电容充电造成的。
而振荡是由于电感和电容的谐振造成的。实际电路中多余的能量大部分是由L-MOS的内
阻消耗的。这部分多余的能量等于PHASE点电压为5V时，电流在电感中对应的电磁能。
由于等效电容很小，所以多余能量（电荷）能够在电容两端造成较大的电压。所以减小电
压尖峰的方法是减小流入等效电容的电荷数量。对于振荡则可以选择阻尼电阻一方面减少
振荡次数，一方面减小L-MOS的消耗能量。
因此设计出了snubber电路。如图所示。
+
v寄生电感I

PHASE

MOS管的等效电容
Snubber电阻

线路上的等效电阻
-Snubber电容

RC-snubber电路从两个方面去解决电压尖峰的问题。1、对PHASE点电压等于输入电
压时的电感电流分流，这样使得流入L-MOS等效电容的电流大大减小。而sn