射频与微波技术期末复习题(屈海峰)-图文.doc

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射频与微波技术期末复习题（屈海峰）-图文

1,微波的频率范围300mhz-3000ghz
2射频微波的基本特性，似光性，穿透性，非电离性，信息性
3射频微波的主要优点1频带宽2尺寸小3干扰小4速度快5分辨率高6频谱宽4不利因素1元器件成本高2辐射损耗大输出功率小3设计工具精度低成熟技术少5射频铁三角阻抗频率功率
6db=10lgp2/P1=20lgu2/U1DBM=10LGps/1mw
7集肤效应；频率越高集肤效应越大，集肤深度与频率满足平方比关系，随着频率的升高集肤深度按平方率越小8电阻的功能是将电能转化为热能产生电压降。9电阻的类型绕线电阻，薄膜片电阻，金属膜电阻
10物质的电阻的大爱小与物质内部的电子和空穴的迁移有关，但电阻的厚度一定是与长宽比成正比
11微带线是一种准TEM波传输线
12微带线的基本参数有基板参数，电特性参数，微带线参数。
13厚度约后特性阻抗越大，细线代表高阻抗相当于串联电感，介电常数越大线的的宽度约小14当源阻抗为实数时，带负载的传输线上功率最大
15并联电感或电容在等导纳园上向感性区域或容性区域移动
16节点的品质因数Qn=|Xs|/Rs电路的Q值有各节点的Qn的最大值所决定，Q越大BW越小17衰减器的技术指标工作频率衰减量功率容量回波损耗
18衰减量的大小有构成衰减器的材料和结构所决定，衰减量所描述的是功率通过衰减器后功率的减小程度
19PIN二极管就是掺杂P+，N+之间加了一段比较的的本证半导体所形成的半导体器件中间I层长度为几到几十微米
20在零点与反向偏置PIN管均不导通呈现高阻抗，
21交流作用下的阻抗特性，频率较低时正向导通反向截止具有整流的作用，频率较高时电阻大，小信号时电阻小
22功率分配器的技术指标工作频率承受功率分配损耗插入损耗隔离度，驻波比23，定向耦合器的技术指标工作频带，方向性耦合性隔离度插入损耗24方向性=耦合度-隔离度
25滤波器的技术指标工作频率插入损耗带内波纹带外抑制承受功率
26巴特沃士滤波器的特点平坦结构简单频带窄切比雪夫滤波器的特点等波纹结构简单频带宽边沿陡峭
27带内波纹越小越好放大器可分为低噪声放大器高增益放大器中功率放大器大功率放大器28放大器的指标工作频率噪声系数动态范围增益
29绝对稳定的条件|S11|130振荡器的有源器件和谐振电路是两个基本组成单元31振荡器的指标工作频率输出功率调谐范围供电电源结构尺寸32频率和成器的技术指标与频率有关的指标与功率有关的指标相位噪声其他
直接频率合成器是早期的频率合成器，基准信号过脉冲形成的电路产生谐波丰富的窄脉冲经混频分频倍频滤波进行频率的变换和组合产生大量频率，最后取出所需频率。
35在微波中经常把隔离器接在信号发生器和负载之间以改善源与负载之间的匹配，这样使得赖在负载的反射功率不能返回发生器中避免负载阻抗的改变而引起发生器输出功率的改变36
隔离器的技术指标工作频带最大的最大的功率容量正反向的
37好的指标是正向衰减尽可能的小(0.5db以下)反向衰减尽可能的大（25db以上）驻波比尽可能的小（1.2以下）
38谐振式隔离器的优点功率容量大缺点是较大的偏置磁场，微带型隔离器的频带比较窄，一般不超过中心频率的10%。
39如果改变偏置磁场的方向，电磁波就不损耗能量在6.0ghz以上反向衰减大于30db正向衰减小于1db。
40场移式隔离器中矩形波导中TE10横磁场为圆极化，
41微带型指标为6-12GHZ反向衰减为20DB正向衰减为1.2db比谐振隔离器的频带宽。42法拉第旋转式隔离器一般正向衰减为1db反向衰减为20-30db。
43混频器的技术指标变频损耗噪声系数线性特性本振功率端口隔离端口驻波比直流级功率消耗。
44混频器分为单端混频器单端平衡混频器双端平衡混频器45构成开关的器件有铁氧体PIN管FET或BJT。
46开关的指标简单接通损耗尽可能小关段损耗尽可能大频带和功率满足系统要求。简答题
PIN管的特性(1)直流反偏时,对微波信号呈现很高的阻抗,正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流（低频）功率控制微波信号的通断,用作开关、数字移相等。
(2)直流从零到正偏连续增加时,对微波信号呈现一个线性电阻,变化范围从几兆欧到几(3)只有微波信号时,I区的信号积累与微波功率有关,微波功率越大,管子阻抗越大，用(4)大功率低频整流器,I区的存在使得承受功率比普通整流管大的多。
欧姆,用作可调衰减器。作微波限幅器。
的通段，用作开关数字相移
S11--二端口接匹配负载时，一端口的反射系数
S21--二端口接匹配负载时，一端口到二端口的传输系数。基板参数：介电常数、介质损耗角正切、基板高度和导线厚度
电特性参数：特性阻抗、工作频率、工作波长、波导波长和电长度
微带线参数：宽度、长度