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NANDFLASH编程总结

第一篇：NANDFLASH编程总结NANDFLASH操作总结目前NANDFLASH主要是SAMSUNG、TOSHIBA两家公司生产。本文我们主要讨论这两家的产品型号。另外我们还会讨论Hitachi的ANDFlash，为了内容条理起见，我们将分别讨论SAMSUNG、TOSHIBA的BinaryFlash，详细说明：1、各个厂家各个型号Flash的操作时序、以及这些操作在“USB－闪存盘控制器”中的影响；2、同一厂家不同型号间的区别、不同厂家之间的区别；然后讨论TOSHIBA的MLCFlash；最后我们要考虑一下ANDFlash的情况，并给出一个初步的结论：我们是否需要支持ANDFlash。通过这些比较，给出一个较明确的结论：我们的“USB－闪存盘控制器”需要支持的Flash操作有那些，时序图如何！SAMSUNG：SAMSUNG推出的NANDFlash主要有以下容量：32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit、1Gbit、2Gbit、4Gbit通常，我们把其中的1Gbit、2Gbit、4Gbit叫做“大容量”，其余的则不加强调。32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit的Flash的特性基本相似：Organization-DataRegister:(512+16)ByteAutomaticProgramandEraseBlockErase:(8K+256)Byte/(16K+512)Byte528-BytePageReadOperationSerialPageAccess:50ns(Min.)FastWriteCycleTimeBlockErasetime:2ms(typ.)Flash操作包括基本的七种操作：Read1、Read2、ReadID、Reset、PageProgram、BlockErase、ReadStatus512Mbit的Flash引入了“Plane”和“Copy-Back”的概念，并为此增加了四种新的操作，但却放弃了128Mbit、256Mbit中“SequentialDataInput”操作，这四种操作是：针对“Plane”的PageProgram(Dummy)、Multi_PlaneBlockErase、ReadMulti_PlaneStatus、针对“Copy-Back”的Copy_BackProgram1Gbit、2Gbit、4Gbit（大容量）的操作基本相同，但他们比一般Flash多了Copy-Back、CacheProgram的功能：Organization-DataRegister:(2K+64)BytePageProgram:(2K+64)ByteRandomAccess:25s(Max.)Programtime:300~400s(typ.)PageProgram:(512+16)ByteRandomAccess:25s(Max.)Programtime:200s(typ.)-BlockErasetime:2ms(typ.)Flash操作包括基本的八种操作：Read1、Read2、Read3、ReadID、Reset、PageProgram、BlockErase、ReadStatus这里的Read1、Read2、Read3命令与SAMSUNG的Read1、Read2命令功能是相同的。但她的随机读周期要稍微长一些：25s(Max.)，其他时间则基本相同。下面我们就每一个操作做详细的介绍！时序示意图：LatchTimingDiagramforCommand/Address/Data（example.64Mbit）CommandInputCycleTimingDiagram（example.64Mbit）AddressInputCycleTimingDiagram（example.64Mbit）DataInputCycleTimingDiagram（example.64Mbit）SerialReadCycleTimingDiagram（example.64Mbit）StatusReadCycleTimingDiagram（example.64Mbit）上面我们给出了各个操作的时序示意图，下面就各个参数进行说明！ACCHARACTERISTICSANDRECOMMENDEDOPERATINGCONDITIONS(Ta_0°to70°C,VCC_2.7Vto3.6V)下面就各个操作的具体时序进行讨论：ReadCycle(1)TimingDiagramReadCycle(1)TimingDiagram:WhenInterruptedbyCEReadCycle(2)TimingDi