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中国科学院半导体材料研究所招生简章 第一篇:中国科学院半导体材料研究所招生简章半导体研究所2011年硕士招生专业目录中国科学院半导体研究所成立于1960年,是集半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实验室、2个院级重点实验室及研发中心,拥有大批先进的科研仪器设备和设施,承担着一批国家重点科技支撑项目(如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等),及地方、企业委托项目等。半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位,是中国科学院博士生重点培养基地之一,现有3个博士后流动站、4个博士学位授权点、5个学术型硕士学位授权点及3个专业学位硕士(工程硕士)授权点。研究所现有在职职工640余人,其中科技人员460余人,中国科学院院士7名、中国工程院院士2名,研究员及正高级工程技术人员79名、副研究员及高级工程技术人员119名,中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者36名、国家百千万人才工程入选者6名。半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合理的研究生指导教师队伍,现有研究生导师106人,其中博士生导师68人。研究所目前在学研究生536名,博士后在站人员28名,研究生已经成为半导体所科研工作的生力军。自知识创新工程启动以来,半导体所累计有4人次获全国百篇优秀博士论文,4人次获院长奖学金特别奖,29人次获院长奖学金优秀奖,其他奖项49项。半导体所实行研究生兼任研究助理的方式,为研究生提供优越的科研和生活条件,研究生可以直接参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。半导体所2011年预计招收学术型硕士学位研究生102名、专业学位硕士研究生(工程硕士)10名,所有招生专业(含工程硕士)均接收推荐免试生,共拟接收推免生50~60名。热忱欢迎广大考生报考!网址:http://单位代码:80136北京市海淀区清华东路邮政编码:100083地址:甲35号联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威学科、专业名称(代码)研究方向总招生人数考试科目备注070205凝聚态物理共..半导体掺杂机制和纳米01.112人①101思想政治理论②201..材料的研究英语一③301数学一④977固体物理或978量子力学半导体低维结构材料、02.同上..宽带隙半导体材料、半导体光伏材料与器件和半导体材料物理半导体量子结构中自旋03.同上..相关的物理过程研究半导体微纳结构理论04.同上..半导体中磁性杂质电子05.同上免试推荐和硕博..态的自旋特性与操控连读半导体自旋电子的实验06.同上要求硕博连读..2010年8月27日10时46分12秒单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083甲35号联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威学科、专业名称(代码)研究方向总招生人数考试科目备注研究半导体自旋电子学07.同上半导体自旋电子学基础08.同上物理理论研究单光子/纠缠光子发射09.同上器件、单量子点中电子/空穴/核自旋相互作用低维纳米结构、材料和10.同上新量子器件原理石墨烯光电子学;低维11.同上要求硕博连读纳米材料光学性质石墨烯和拓扑绝缘体12.同上铁磁半导体器件研究及13.同上具有较强的动手碳基电子学器件的研究能力和扎实的物理基础固体量子计算和量子通14.同上信的基础物理研究半导体低维量子结构的15.同上电子态自旋相关的电子输运和16.同上光学性质半导体与金属复合微纳17.同上结构中光电耦合效应080501材料物理与化学GaN同质衬底的制备01.①101思想政治理论②201英语一③302数学二④976半导体物理或977固体物理半导体低维结构材料02.同上宽带隙半导体材料03.同上半导体低维结构材料物04.同上物理系毕业及有理科研经历者优先2010年8月27日10时46分12秒单位代码:80136联系部门:研究生部北京市海淀区清华东路地址:甲35号电话:010-82304321邮政编码:100083联系人:徐金威学科、专业名称(代码)研究方向总招生人数考试科目备注宽带隙半导体材料和材05.同上料物理半导体低维纳米材料制06.同上备及其器件应用半导体功能材料及其器07.同上件应用半导体光伏材料与器件08.同上和半导体材料物理半导体纳米功能材料及09.同上其器件应用宽带隙半导体材料与应10.同上用半导体纳米结构及器件11.同上研究氮化物LED材料和器件12.同上研究III族氮化物材料生长13.同上用MOCVD等重大装备研制;半导体低维结构材料、宽带隙半导体材料和器件应用氮化物材料生长与应用14.同上研究;新型高效太阳电池制备与性能研究;新型异质结半导体高效光伏材料与器

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