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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105655345A(43)申请公布日2016.06.08(21)申请号201510633205.8(22)申请日2015.09.29(30)优先权数据10-2014-01673532014.11.27KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金成手金荣柱申美姬金珉镜(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L23/60(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图7页(54)发明名称液晶显示装置及其制造方法(57)摘要提出了一种液晶显示装置及其制造方法。根据本发明一实施方式,提供了一种液晶显示装置,所述显示装置包括:依次设置于基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部,所述单孔桥接触部用于一次暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分。所述第三金属层实现为通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触。CN105655345ACN105655345A权利要求书1/3页1.一种显示装置,包括:依次设置于基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部,所述单孔桥接触部用于在一个孔中暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分,且其中所述第三金属层通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第一绝缘层的第一接触孔和所述第二绝缘层的第二接触孔的其中之一电连接,且其中所述单孔桥接触部是这样的结构:其中减少了用于形成所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的接触孔的掩模数量的增加并且减小了由所述第一接触孔和所述第二接触孔导致的设计区域的增大。3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述单孔桥接触部应用于静电放电保护电路,所述静电放电保护电路包括位于所述显示装置的边框区域中的含有氧化物半导体的薄膜晶体管。4.根据权利要求3所述的显示装置,其中通过应用所述单孔桥接触部的结构,所述静电放电保护电路的尺寸实现为不大于具有等效静电放电性能且包括含有非晶硅的薄膜晶体管的静电放电保护电路的尺寸。5.一种液晶显示装置,包括:基板,所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域;位于所述基板上的边框区域中的第一金属层;位于所述第一金属层上的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧的第一开口;与所述第一金属层交叠的第二金属层;位于所述第二金属层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧以及所述第二金属层的部分顶侧的第二开口;和导电层,所述导电层在所述第二绝缘层中的第二开口内与所述第一金属层的所暴露的部分顶侧以及所述第二金属层的所暴露的部分顶侧接触。6.根据权利要求5所述的液晶显示装置,还包括:位于所述基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极,其中:所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上,所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上,所述第一绝缘层是位于所述栅极电极上的栅极绝缘层,且所述第二绝缘层是配置成使所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层。7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,还包括:位于所述边框区域中的静电放电保护电路,2CN105655345A权利要求书2/3页其中所述静电放电保护电路包括所述薄膜晶体管。8.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其中:所述第一金属层从所述栅极电极延伸,且所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸。9.根据权利要求7所述的液晶显示装置,还包括:第一线,所述第一线位于与所述第二金属层相同的水平面上;第二线,所述第二线位于与所述第二金属层相同的水平面上且至少部分地与所述第一线平行;和第三线,所述第三线位于与所述第一金属层相同的水平面上且与所述第一线和所述第二线交叉,其中所述静电放电保护电路位于所述第一线与所述第二线之间,且其中所述薄膜晶体管位于所述第一线和所述第二线与所述第三线交叉的部分处。10.根据权利要求9所述的液晶显示装置,其中所述第一金属层与所述栅极电极和所述第三线连接,且其中所述第二金属层与所述源极电极和所述漏极电极的其中之一连接。11.根据权利要求6所述的液晶显示装置,还包括:位于所述有源区域中的驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管配置成驱动像素且包括含有氧化物半导体的有源层,其中所述薄膜晶体管中的有源层的沟道长

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