模拟电子技术(清华大学)课件.ppt

电子技术绪论绪论I.电子技术发展史I.电子技术发展史1.原始通信方式——人力、烽火台等电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步发展起来的。1.真空电子管的发明：自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。II.电子技术的应用III.课程安排二.时间安排第一编模拟部分第一章半导体器件1.1半导体（Semiconductor）导电特性1.1.1本征半导体但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发），呈现导体的性质。但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发），呈现导体的性质。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。半导体内部存在两种载流子（可导
电的自由电荷）：电子（负电荷）、空
穴（正电荷）。1.1.2杂质半导体N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电子属于多数载流子（简称多子），空穴属于少数载流子（简称少子）。n≥p
N型半导体主要靠电子导电。P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，空穴属于多数载流子（简称多子），电子属于少数载流子（简称少子）。p≥n
P型半导体主要靠空穴导电。杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等量的多数载流子。1.2半导体二极管（Diode）1.2.1PN结（PNJunction）一.PN结的形成二.PN结性质——单向导电性1.正向导通
PN结外加正向电压（正向偏置）——P接+、N接-，形成较大正向电流（正向电阻较小）。如3mA。1.2.2二极管二．二极管主要参数由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。1.3三极管（Transistor）1.3三极管（Transistor）1.3.3三极管内部载流子传输II1.3.4三极管各极电流关系1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线1.3.6三极管主要参数1.3.6三极管主要参数三极管的安全工作区1.4场效应管（FieldEffectTransistor）1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.2结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.2结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1绝缘栅型场效应管1.4.1绝缘栅型场效应管二.增强型N沟道MOS管工作过程三.增强型N沟道MOS管特性曲线四.耗尽型N沟道MOS管工作过程四.耗尽型N沟道MOS管特性曲线各类场效应管偏置电压极性五.场效应管的主要参数第二章基本放大电路2.1放大的概念2.2.1原理电路2.2.1原理电路2.2.2电路放大工作原理2.2.3实际放大器2.2.4放大器构成原则电路举例对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：附：电路中有关符号规定放大器分析有静态分析和动态分析。其中动态分析最常用的方法有图解法（大信号）和等效电路法（小信号）。一.直流等效电路（直流通路）在放大电路或其直流通路中，计算IB，UBE，IC，UCE。
其中，UBE=0.7V（Si管）或0.2V（Ge管）——当作已知量。2.4.3图解法2.4.3图解法作出交流负载线（斜率为交流负载-1/RL′、过静态工作点Q），作出交流负载线（斜率为交流负载-1/RL′、过静态工作点Q），作出交流负载线（斜率为交流负载-1/RL′、过静态工作点Q），然后根据已知的输入信号[如ui=0.05sinωt(V)]，分别在输入特性、输出特性上的静态工作点附近得出动态范围，作出交流负载线（斜率为交流负载-1/RL′、过静态工作点Q），然后根据已知的输入信号[如ui=0.05sinωt(V)]，分别在输入特性、输出特性上的静态工作点附近得出动态范围，进而根据动态范围作出输入输出波形，求出Au、Ai。1.估算IB，并在输入特性曲线上标出Q点；2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解法2.4.3图解