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高等有机化学(第9至第12章)2008 2.ppt 立即下载
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高等有机化学(第9至第12章)2008 2.ppt

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Chapter9.AromaticElectrophilicSubstitutionSection1.MechanismAreniumIonMechanism对于进攻试剂是偶极离子,中间体按下式生成:关于σ络合物的生成步骤,有人认为首先生成π络合物,然后在转换σ络合物。Section2.OrientationandReactivity1.OrientationandReactivityinMonosubstitutedBenzeneRings但是当环上以经有一个取代基Z(e.g.CH3):跳一页a:若Z是+I基团,中间的电荷可以分配到Z上去,因此它使得环上的正电荷减少,中间稳定性增大,即Z是致活基团。
现在我们再来看三种异构体,究竟哪一种有利。
邻位σ络合物的Lewis结构式4,和对位σ络合物的Lewis结构式8的带正电荷原子直接与Z相连,而间位σ络合物则没有这种情况,因此邻-对-σ络合物比m-位稳定,因此主要生成o-,p-取代产物。
结论:+I基团是致活基团,且是邻对位定位基。

b:与环相连的原子不带孤电子对的-I基团。它使整个苯环的电子云密度降低,亲电试剂Z易进攻,形成σ络合物后,Z的-I效应使得环上的正电荷更加集中,因而不稳定,反应速度减慢,那么Z使致钝基团。
现在来看形成哪种产物有利。
o-和p-中间体都有一个正则式其带正电荷核与Z相邻,而m-则没有,因此生成m-中间体比o-对-更稳定,因此取代主要发生在间位上。
结论:不带孤电子对的-I基团,使苯环钝化,且是间位定位基。
上一页c:取代基中与苯环相连接的原子带有孤电子对o-,p-比m-多一个Lewis结构式(12,13),且12和13对共振体的贡献又最大(除H外的每一个原子都是8偶体),因为o-,p-比m-中间体要稳定得多。
因此这样的Z是邻位、对位定位基。

结论:在与环相连的原子上有未公用电子对的基团是致活基团,且是o-对位定位基。
根据上面的讨论,我们可以把取代基分为三类:

a)既是致活基,又是邻对位定位基,这些是+I效应基团,或是在与环相邻的原子上有未共用电子对的基团
e.g.-NH2,-NR2,,-O-,-OH,-OR,NHCOR,SR,et.al.

b)既是致钝基团,又是间位定位基:这些基团是-I效应基团
e.g.R3N+,-N+H3,,-NO2,-CN,SO3H,CHO,COR,COOH,COOR,CONR2,CCl3,et.al.

c)卤素:
卤素的诱导效应和共轭效应相反,前者使苯环致钝,后者致活,总效应是钝化。但是卤素是邻对位定位基,这是因为生成中间体后,C效应是起主导作用的。2.Ortho/PareRatio3.OrientationinBenzeneRingswithMorethanOneSubstituent2)彼此相反,预言困难:4.OrientationinOtherRingSystems2)杂环化合物:5.PartialRateFactorSection3.SomeExamplesofReaction.B.亚硝化:C.重氮偶合:D.直接引入氨基2.SulfurElectrophiles当用ClSO2OH作试剂时,产物为:B.硫化3.HalogenElectrophiles4.CarbonElectrophiles2)烷化试剂可以是:烯、醇、醚、硫酸酯、磺酸酯,若用卤代烃则每个卤素都可以发生反应。3)催化剂是Lewis酸,普通的是AlCl3,也是最强的催化剂之一。

对活泼底物可以采用ZnCl2这样的弱催化剂,催化活性顺序:AlBr3>AlCl3>FeCl3>SbCl5>ZrCl4,SnCl4>BCl3,BF3。

反应中的进攻实体为:
B.酰基化反应:C.Vismeier-HaackReactionD.Reimer-TiemannReaction除了苯酚外还有吡咯、吲哚也发生此反应,除了生成正常的反应,也生成非常规的产物:一个相似的反应是Duff反应:D.Kolbe-SchimittReactionHydroxylalkylation羟烷基化:Chloromethylation氯甲基化:G.类似的还有胺烷基化反应Aminoakylation:5.RearrangementReaction(2)硝基迁移重排:(4)HydrogenElectrophilesChapter10.AliphaticElectrophilicSubstitutionSection1.MechanismsSE2:又可分为前面进攻和后面进攻。
与SN2比较:对于亲核的双分子机理,根本不可能发生前面进攻,因为进攻试剂的电子对和离去基的电子对相斥。而SE2因整个体系是缺电子的,试剂可以前面进攻而吸引,最后成键:2.SE1Mechanism单分子机理3.Electr
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