高电压技术,第一章第345节.ppt

第三节自持放电条件如上节图1-3所示，当气隙电压大于时，电流随电压的增大不再遵循的规律，而是更快一些，这时又出现了促进放电的新因素，这就是受正离子的影响。如果电压足够大，初始电子崩中的正离子在阴极上产生出来的新电子等于或大于，即使除去外界电离因子的作用，放电也不会停止。这就变成了自持放电。二自持放电的条件三自持放电的物理含义如果自持放电条件满足时，会形成下图的闭环部分：E汤逊理论小结电子碰撞电离－α
正离子碰撞电离－β1.4起始电压和气压的关系均匀电场中几种气体击穿电压Ub与pd的关系巴申定律由巴申曲线可知，当极间距离d不变时提高气压或降低气压到真空，都可以提高气隙的击穿电压，这一概念具有十分重要的实用意义。
高气压、高真空都可以提高击穿电压，工程上已得到广泛应用（如：压缩空气开关、真空开关等）汤逊理论的适用范围1.5气体放电的流注理论流注理论1.5.1空间电荷对电场的畸变汤逊理论没有考虑放电本身所引发的空间光电离现象，而这一因素在高气压、长气隙的击穿过程中起着重要的作用。
考虑初始电子崩头部成为辐射源，会向气隙空间各处发射光子而引起光电离。
如图所示：如果这时产生的光子位于崩头前方和崩尾附近的强场强区，则造成的二次电子崩将以更大的电离强度向阳极发展或汇入崩尾的正离子群中。
这些电离强度和发展速度远大于初始电子崩的二次电子崩不断汇入初崩通道的过程称为流注
1.5.2高气压下均匀电场自持放电的流注理论d)二次崩电子与正空间电荷汇合成流注通道，其端部又有二次崩留下的正电荷，加强局部电场产生新电子崩使其发展；
e)流注头部电离迅速发展，放射出大量光子，引起空间光电离，流注前方出现新的二次崩，延长流注通道；
f)流注通道贯通，气隙击穿初始电子崩（电子崩头部电子数达到一定数量）
→电场畸变和加强；
→电子崩头部正负空间电荷复合；
→放射大量光子；
→光电离；
→崩头处二次电子（光电子）；
→（向正空间电荷区运动）碰撞游离；
→二次电子崩；
→（二次电子崩电子跑到初崩正空间电荷区域）流注。均匀电场气隙中的流注放电均匀电场气隙中的流注放电1.3.1均匀电场气隙中的流注放电1.3.1均匀电场气隙中的流注放电（四）流注条件
形成流注的必要条件是：
电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸变，大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场；
电子崩中电荷密度很大，所以复合频繁，放射出的光子在这部分很强，电场区很容易成为引发新的空间光电离的辐射源，二次电子主要来源于空间光电离；
气隙中一旦形成流注，放电就可由空间光电离自行维持。流注自持放电条件：1.5.3流注理论对放电现象的解释小结小结