PN结的小信号导纳课件.ppt

第七章pn结二极管：小信号导纳势垒电容Cj：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化
扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时，
有少子的注入，并积累电荷，它也随外
电压而变化.扩散区的电荷数量随外加电
压的变化所产生的电容效应。pn结二极管的小信号等效电路小信号导纳7.2反向偏置结电压1反向偏置的电容W随反向偏压增大而增加，Cj随W的增加而减小，所以二极管的反向偏置结电容随反向电压的增加而减小。与实验结果一致。单边突变结
pn+:ND>>NA=NB或p+n:NA>>ND=NB,则势垒电容（1）与低浓度一边的掺杂浓度成正比
（2）与（Vbi-V）1/2成反比。可制作变容器
件，利用外加电压的改变而调节势垒电容
主要用于电子调频、调谐器。2、C-V关系单边线性缓变结令VA=0时的电容为3反向偏置电导正偏势垒电容CJ：正向偏置时，多数载流子进入和离开稳态耗尽层引起的结电容和反向偏置时一样。扩散电容CD：二极管正偏时在耗尽区边界的准中性区内引起少数载流子的积累。随着正向偏压的增加，少子的积累越来越明显。在直流偏压上，再加交流小信号，少数载流子就会在直流值附近张落，即va>0,少子积累增加，va<0,少子积累减小。这将导致一个额外的电容，称为扩散电容CD。假设二极管外加直流正偏压V0时的直流电流为IDQ少子的张落扩散导纳：YD=GD+jC7.3.2导纳关系式当正向偏置时，V势垒高度（Vbi-VA），
宽度CJ
反向偏置时，V势垒高度（Vbi-VA），
宽度CJ
注解（1）CD与少子扩散长度，平衡时少子浓度
成正比
（2）CD随外电压增大而指数增大
（3）反向偏置时，因V为负值，且pn,np
近似为0（抽出），几乎不随外电压变
化，所以CD非常小，可忽略不计。3。p-n结电容对p-n结特性的影响和利用