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3.1双端MOS结构M-V+-V+2、耗尽区宽度金属氧化物p型半导体3、栅压4、平带电压5、阈值电压5、阈值电压5、阈值电压6、电荷分布7、MOS电容模型8、理想C-V特性8、理想C-V特性9、非理想效应9、非理想效应3.2MOS场效应晶体管1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理2、电流-电压关系（定性）（小的漏源电压作用）2、电流-电压关系（定性）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）3、电流-电压关系（定量）4、小信号等效电路4、小信号等效电路5、频率限制因素与截止频率6、CMOS技术
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