一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113193450A(43)申请公布日2021.07.30(21)申请号202010036575.4(22)申请日2020.01.14(71)申请人中国科学院沈阳自动化研究所地址110016辽宁省沈阳市沈河区南塔街114号(72)发明人孙明祺何立岩邢家富(74)专利代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司21002代理人于晓波(51)Int.Cl.H01R43/00(2006.01)H01R43/16(2006.01)H01R43/18(2006.01)H01R43/24(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺(57)摘要本发明公开一种全海深水密连接器真空硫化的制备工艺，属于全海深水密连接器的制备技术领域。该工艺采用真空硫化机，将需要真空硫化的水密连接器经过表面处理、焊线、涂胶等工序后放入模具型腔中合模，将适量的混炼胶投入上模注胶口处放置的加料罐中，连同模具一起放置到真空硫化机的下平板上，设定好抽真空时间、加压时间、加压速度、加压压力、保压时间及保压压力后，使真空硫化机上平板及真空罩下降，当真空罩完全密封后加压注胶及抽真空同时进行，真空硫化开始，保压时间到后真空罩及上平板自动升起，真空硫化结束，启模取出产品。本发明操作方便，适用范围广，能适合各种全海深水密连接器和其他橡胶制品需要真空热硫化的场合。CN113193450ACN113193450A权利要求书1/1页1.一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：所述全海深水密连接器包括插座和插头，插座包括钛合金壳体和带导线的铜接触件；该全海深水密连接器的真空硫化制备工艺包括如下步骤：(1)钛合金壳体和铜接触件的前处理：将钛合金壳体内壁需要灌封及外表面需要硫化的部位进行喷砂处理；将铜接触件表面的镀金层去除，焊杯内壁镀锡处理；(2)将钛合金壳体及铜接触件涂一层开姆洛克205底涂胶，涂胶厚度8～13μm，然后室温干燥45min；再在钛合金壳体及铜接触件上涂两层开姆洛克220底涂胶，涂第一层开姆洛克220底涂胶后室温干燥45min后，再涂第二层开姆洛克220底涂胶，室温干燥45min，开姆洛克220底涂胶总厚度12.7～25.4μm；环氧树脂支撑块直接涂两层开姆洛克220底涂胶后，固定在钛合金壳体中；(3)将铜接触件上的导线安装在支撑块的定位孔中，再将铜接触件安装固定到插座模芯的定位针上，然后将模芯及插座整体放置到模具的型腔中；(4)模具合模后采用螺钉将上模和下模固定，上模上设有注胶口，注胶口处放置加料罐，根据工件的体积计算，将混炼胶投入加料罐中并移至真空硫化机的下平板上；(5)进行真空硫化处理，处理过程中，加压速度2.5MPa/s，加压压力45kg/cm2，加压时间90s；保压压力40kg/cm2，保压时间1800s；(6)保压结束后真空硫化结束，启模取出产品。2.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述喷砂处理用的砂粒粒度为20目，喷砂时间5min。3.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(2)中，所述环氧树脂支撑块用于真空灌封，涂胶前用先用120#砂布研磨，至表面泛白粗化即可。4.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(2)中，所述钛合金壳体及铜接触件在涂胶前先放入超声波清洗机内选用丙酮进行脱脂处理，晾干后进行涂胶。5.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(2)涂胶过程中，湿度小于或等于75％。6.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(5)真空硫化处理过程中，真空度为-0.1MPa。7.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：所述钛合金壳体的材质为TC4钛合金，铜接触件为锡青铜，支撑块为玻璃纤维增强的环氧树脂灌封材料。2CN113193450A说明书1/4页一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺技术领域[0001]本发明涉及全海深水密连接器的制备技术领域，具体涉及一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺。背景技术[0002]全海深水密连接器能够满足深海环境下供电和大数据流的需求，是全海深载人、无人潜水器及其他海洋技术装备关键配套元器件之一，面向深海探测及深海开发有着重要且广泛的应用。以往，水密连接器热硫化前需要在被粘接表面喷砂粗化、脱脂处理，然后涂刷热硫化用底涂胶。胶层表面干燥后用普通平板硫化机进行热硫化处理。热硫化前需要将混炼胶在炼胶机胶辊上返炼一下，以增加胶料的流动性便于硫化成型。由于水密连接器内部有金属壳体、铜接触件、电缆