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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN114005933A (43)申请公布日2022.02.01 (21)申请号202111229192.X (22)申请日2021.10.21 (71)申请人华中科技大学 地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人徐明辜融川徐开朗徐萌 杨哲麦贤良缪向水 (74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有 限公司42267 代理人王世芳梁鹏 (51)Int.Cl. H01L45/00(2006.01) 权利要求书2页说明书6页附图2页 (54)发明名称 低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单 元制备方法以及产品 (57)摘要 本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向 阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置,属 于微电子技术领域,在制备过程中,对OTS功能层 执行升温工艺,使OTS功能层温度为80℃~120 ℃,持续时间为50s~200s,以此方式,对OTS功能 层加速弛豫,使其提前进入更稳定的非晶态。优 选的,使OTS功能层温度为90℃~110℃,持续时 间为80s~180s,更优选的,使OTS功能层温度为 95℃~105℃,持续时间为85s~150s。本发明通 过设计新型的工艺方法,利用玻璃弛豫来降低 OTS阈值电压漂移,解决现有技术中OTS阈值漂移 较大从而抑制了OTS选通管大量应用的问题。 CN114005933A CN114005933A权利要求书1/2页 1.一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其特征在于,在制备过 程中,对OTS功能层执行升温工艺,使OTS功能层温度为80℃~120℃,持续时间为50s~ 200s,以此方式,对OTS功能层加速弛豫,使其提前进入更稳定的非晶态。 2.如权利要求1所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其 特征在于,在制备过程中,对OTS功能层执行升温工艺,使OTS功能层温度为90℃~110℃,持 续时间为80s~180s。 3.如权利要求2所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其 特征在于,在制备过程中,对OTS功能层执行升温工艺,使OTS功能层温度为95℃~105℃,持 续时间为85s~150s。 4.如权利要求3所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其 特征在于,其包括如下步骤: S1:在衬底上制备金属底电极, S2:在底电极上制备绝缘层, S3:在绝缘层上设置光刻胶,采用EBL工艺或者光刻工艺进行图形转移,然后刻蚀掉多 余部分的绝缘层,形成小孔区域,去掉光刻胶后再进行紫外光刻制备功能层图案与上电极 图案, S4:对衬底执行升温操作,再依次溅射制备OTS功能层和上电极,使OTS功能层在80℃~ 120℃温度范围内保持50s~200s, S5:去除光刻胶。 5.如权利要求4所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其 特征在于,更详细的步骤如下: S1:在Si/SiO2衬底上制备金属底电极,金属底电极的材质选自Pt、W或TiN的一种或者多 种, S2:在底电极上制备SiO2绝缘层, S3:在SiO2绝缘层上设置光刻胶,采用EBL工艺或者光刻工艺进行图形转移,然后采用 ICP工艺刻蚀掉多余部分的绝缘层,形成小孔区域,去掉光刻胶后再进行紫外光刻制备功能 层图案与上电极图案, S4:对衬底执行升温操作,再依次溅射制备OTS功能层和上电极,使OTS功能层在90℃~ 110℃温度范围内持续80s~180s, S5:去除光刻胶。 6.如权利要求5所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其 特征在于,步骤S4为, S4:对衬底执行升温操作,再依次溅射制备OTS功能层和上电极,使OTS功能层在95℃~ 105℃温度范围内保持85s~150s。 7.如权利要求1‑3之一所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方 法,其特征在于,其包括如下步骤: S1:在衬底上制备金属底电极, S2:在底电极上制备绝缘层, S3:在绝缘层上设置光刻胶,采用EBL工艺或者光刻工艺进行图形转移,然后刻蚀掉多 2 CN114005933A权利要求书2/2页 余部分的绝缘层,形成小孔区域, S4:对衬底执行升温操作,再依次溅射制备OTS功能层和上电极,使OTS功能层在80℃~ 120℃时间范围内持续50s~200s, S5:通过紫外光刻保护功能层与上电极图案,通过刻蚀把功能区外的材料去除, S6:去除光刻胶。 8.如权利要求7所述的一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法,其 特征在于,更详细的步骤如下: S1:在Si/SiO2衬底上制备金属底电极,金属底电极的材质选自Pt、W或
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