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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN106683892B
(45)授权公告日2019.01.15
(21)申请号201611037345.X(56)对比文件
(22)申请日2016.11.23CN105185604A,2015.12.23,全文.
CN105826082A,2016.08.03,说明书第6-
(65)同一申请的已公布的文献号10、24段.
申请公布号CN106683892AYongpingGan等.One-potBiotemplate
(43)申请公布日2017.05.17SynthesisofFeS2DecoratedSulfur-doped
(73)专利权人广东工业大学CarbonFiberasHighCapacityAnodefor
地址510062广东省广州市越秀区东风东Lithium-ionBatteries《.Electrochimica
路729号Acta》.2016,第209卷全文.
WenningYan等.Nitrogen/sulfurdual-
(72)发明人铁津津孙明陈丰叶飞余林doped3Dreducedgrapheneoxidenetworks
(74)专利代理机构广东广信君达律师事务所supportedCoFe2O4withenhanced
44329electrocatalyticactivitiesforoxygen
代理人张燕玲杨晓松reductionandevolutionreactions.
(51)Int.Cl.《Carbon》.2015,第99卷第195-202页.
H01G11/24(2013.01)审查员范雪春

H01G11/30(2013.01)
H01G11/86(2013.01)权利要求书1页说明书4页附图2页
(54)发明名称
一种三维异质结构的硫化钴镍电极材料及
其制备方法和应用
(57)摘要
本发明公开了一种三维异质结构的硫化钴

镍(NiCo2S4)电极材料及其制备方法。该方法包
括以下步骤:首先对碳材料载体进行改性,而后
将之与钴盐、镍盐,硫源混合与高压反应釜中进
行水热反应,再经洗涤和干燥处理,得到三维异

质结构的NiCo2S4电极材料。本发明的方法采用

一步法制备了三维异质结构的NiCo2S4电极材
料,该方法具有性能稳定且工艺重复性能好的优

点,所制备的三维异质结构的NiCo2S4电极材料,
具有优异的超级电容性能。
CN106683892B
CN106683892B权利要求书1/1页

1.一种三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.将碳材料载体置于硫脲和钠盐溶液的混合液中,在120~180℃反应2~8h,经过滤、
去离子水洗涤、干燥,得到硫掺杂改性的碳材料载体;其中,所述钠盐为硫化钠或者氯化钠;
所述钠盐溶液为硫化钠的甲醇溶液、硫化钠的乙醇溶液、氯化钠的甲醇溶液或氯化钠的乙
醇溶液;所述钠盐溶液的浓度为0.08~0.16mol/L;所述硫脲的浓度为0.4~0.8mol/L;
S2.将钴盐、镍盐和硫源溶于醇中,搅拌混合均匀,转移到反应釜中,再将步骤S1中所得
硫掺杂改性的碳材料载体加入反应釜中,在180~220℃反应1~4h,经去离子水洗涤和干燥
处理,即得到硫化钴镍电极材料。
2.根据权利要求1所述三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,步
骤S1中所述碳材料载体为碳纸或者碳布。
3.根据权利要求1所述三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,步
骤S1中所述干燥的温度为60~90℃,所述干燥的时间为10~16h。
4.根据权利要求1所述三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,步

骤S2中所述钴盐为Co(NO3)2·6H2O或CoCl2·6H2O;所述镍盐为Ni(NO3)2·6H2O或NiCl2·

6H2O;所述硫源为硫脲或者硫代乙酰胺;所述醇为甲醇或者乙醇。
5.根据权利要求1所述三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,步
骤S2中所述钴盐、镍盐与硫源的摩尔比为(0.2~0.4):(0.1~0.2):(0.4~0.86);所述钴
盐、镍盐和硫源的总摩尔与醇的摩尔体积比为(0.5~1.6):1。
6.根据权利要求5所述三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,所
述钴盐、镍盐与硫源的摩尔比为0.28:0.14:0.6;所述钴盐、镍盐和硫源的总摩尔与醇的摩
尔体积比为1.02:1。
7.根据权利要求1所述三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,步
骤S2中所述干燥的温度为60~90℃,所述干燥的时间为10~16h。
8.一种根据权利要求1-7任一项所述方法制备的三维异质
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