202310874907X一种富硒葛仙米的培养方法.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116724892A
(43)申请公布日2023.09.12
(21)申请号202310874907.X
(22)申请日2023.07.17
(71)申请人江西藻泉生物科技有限公司
地址336000江西省宜春市袁州区温汤镇
彭坊村潮三组66号(自主承诺)
(72)发明人邵继海艾立平邵奕霖
(74)专利代理机构广州科沃园专利代理有限公
司44416
专利代理师徐翔
(51)Int.Cl.
A01H4/00(2006.01)

权利要求书1页说明书7页
(54)发明名称
一种富硒葛仙米的培养方法
(57)摘要
本发明公开了一种富硒葛仙米的培养方法，
属于生物技术领域。本发明通过使用富硒温泉水
配制全营养培养基，充分利用富硒温泉水中的硒
源，摒弃外源添加硒酸钠或亚硒酸钠的方法，避
免了添加硒酸钠或亚硒酸钠存在的健康风险；并
在培养基加入甘油磷酸二钠，给葛仙米提供了更
容易吸收的磷素养分，促进葛仙米的固氮活性，
并刺激葛仙米对其它养分元素的吸收，提高了葛
仙米的生长和代谢活性，使葛仙米能够以出芽的
方式快速产生种子；同时本发明还通过无硫诱导
和低硫培养，在不影响葛仙米生长和形态发育的
条件下长效增加葛仙米对硒的吸收能力，且操作
简单，安全性好和成本低。
CN116724892A
CN116724892A权利要求书1/1页

1.一种富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、用含硒温泉水配置葛仙米全营养培养基，备用；
S2、将葛仙米球形群体用水洗净，消毒，清洗，匀浆获得丝状藻浆，然后涂布在步骤S1所
得的全营养固体培养基表面，控制温度和光照强度，培养，获得葛仙米一级种子；
S3、将葛仙米一级种子转移到全营养液体培养基中，光照通气培养，获得葛仙米二级种
子；
S4、将步骤S3获得的葛仙米二级种子转移到无硫培养基中，进行硫饥饿培养，获得硫饥
饿培养物；
S5、步骤S4获得的硫饥饿培养物转移到低硫培养基中，光照通气培养，即可收获得到富
硒葛仙米。
2.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S1中含硒温泉
水中的硒含量为5‑8μg/L。
3.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S1中的富硒温
++2+2+
泉水的水质特征如下：硒7.8μg/L，Na15mg/L,K1.1mg/L，Mg0.8mg/L，Ca7.3mg/L，H2SiO3
‑2‑2‑‑
56mg/L，Cl5.7mg/L，SO41.2mg/L，CO346mg/L，F8.0mg/L，pH7.3。
4.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S1的全营养培

养基配方为：甘油磷酸二钠1mg/L，NaH2PO430mg/L，MgSO460mg/L，FeCl32mg/L，Na2EDTA5mg/

L，CaCl250mg/L，K2CO350mg/L，MnCl22mg/L，ZnCl20.5mg/L，NaMoO40.7mg/L，H3BO35mg/L

和CuSO40.02mg/L。
5.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S1的全营养培
养基经过121摄氏度高压蒸汽灭菌30分钟，灭菌完毕后，在培养基凝固前倾倒到培养皿中，
静止凝固，即可得到全营养固体培养基。
6.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S4中的葛仙米
二级种子是经过8目的不锈钢筛盘收集大于或等于3mm的葛仙米球体，然后才转移到无硫培
养基中。
7.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S4中的无硫培

养基配方为：甘油磷酸二钠1mg/L，NaH2PO430mg/L，MgCl240mg/L，FeCl32mg/L，Na2EDTA5mg/

L，CaCl250mg/L，K2CO350mg/L，CoCl21mg/L，MnCl22mg/L，ZnCl20.5mg/L，NaMoO40.7mg/

L，H3BO35mg/L，CuCl20.02mg/L。
8.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S4中的硫饥饿
培养时间为3‑4天。
9.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，所述步骤S5中的低硫培

养基的配方为：甘油磷酸二钠1mg/L，NaH2PO430mg/L，MgSO45mg/L，MgCl240mg/L，FeCl3

2mg/L，Na2EDTA5mg/L，CaCl250mg/L，K2CO350mg/L，MnCl22mg/L，ZnCl20.5mg/L，NaMoO4

0.7mg/L，H3BO35mg/L，CuSO40.02mg/L。
10.根据权利要求1所述的富硒葛仙米的培养