2013102636483一种磷扩散方法,p型电池制备方法及n型电池制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN103346212B
(45)授权公告日2015.09.09
(21)申请号201310263648.3CN102097523A,2011.06.15,全文.
US3666574A,1972.05.30,全文.
(22)申请日2013.06.27
审查员
(73)专利权人英利集团有限公司刘雪莲
地址071051河北省保定市翠园街722号
(72)发明人王英超熊景峰胡志岩李高非
赵文超
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限
公司11227
代理人王宝筠
(51)Int.Cl.
H01L31/18(2006.01)
H01L21/223(2006.01)
(56)对比文件
CN101237010A,2008.08.06,全文.

CN101419997A,2009.04.29,全文.权利要求书1页说明书7页附图3页
(54)发明名称
一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电
池制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种磷扩散方法、P型电池制备
方法以及N型电池制备方法，所述磷扩散方法包
括：对扩散炉进行加热；当加热至三氯氧磷与氧
气反应的温度后，通入设定流量的小氮以及氧气，
并持续加热，其中，所述小氮为携带三氯氧磷的氮
气，所述小氮的流量小于氧气的流量；当扩散内
温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后，使小氮的
流量大于氧气的流量，开始磷扩散；预设时间的
磷扩散后，进行退火处理。所述磷扩散方法在进行
加热以及稳定炉温阶段，可去除硅片表面的金属
离子，从而避免了进行磷扩散时，金属离子扩散入
硅片内形成复合中心，采用所述磷扩散方法制备
的P型电池以及N型电池具有较高的转换效率。
CN103346212B

CN103346212B权利要求书1/1页

1.一种磷扩散方法，其特征在于，包括：
对扩散炉进行加热；
当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后，通入设定流量的小氮以及氧气，并持续加热，
其中，所述小氮为携带三氯氧磷的氮气，所述小氮的流量小于氧气的流量；
当扩散炉内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后，使小氮的流量大于氧气的流量，开
始磷扩散；
预设时间的磷扩散后，进行退火处理；
其中，当所述小氮的流量小于氧气的流量时，所述氧气的流量范围为
100sccm-1500sccm，包括端点值，所述小氮的流量范围为30sccm-200sccm，包括端点值；
当小氮的流量大于氧气的流量时，所述氧气的流量范围为150sccm-250sccm，包括端点
值，所述小氮的流量为600sccm-700sccm，包括端点值。
2.根据权利要求1所述的磷扩散方法，其特征在于，当所述小氮的流量小于氧气的流
量时，所述氧气的流量与所述小氮的流量比为3～7：1。
3.根据权利要求2所述的磷扩散方法，其特征在于，当所述小氮的流量小于氧气的流
量时，所述氧气的流量为500sccm，所述小氮的流量为100sccm。
4.一种P型电池制备方法，其特征在于，包括：
将经过正面制绒的P型硅片放入扩散炉内；
采用权利要求1-3任一项所述磷扩散方法，对所述P型硅片进行磷扩散，在所述P型硅
片正面形成PN结；
对磷扩散后的所述P型硅片进行边缘刻蚀处理以及去磷硅玻璃处理；
在所述P型硅片正面沉积减反膜；
在所述P型硅片正面形成正面电极，在所述P型硅片背面形成背面电极；
对所述P型硅片进行烧结，使所述正面电极以及所述背面电极均与所述P型硅片形成
欧姆接触。
5.一种N型电池的制备方法，其特征在于，包括：
将经过表面制绒的N型硅片放入扩散炉内；
采用权利要求1-3任一项所述磷扩散方法，对所述N型硅片进行磷扩散，在所述N型硅
片的背面形成一层N型扩散层；
对磷扩散后的所述N型硅片进行去磷硅玻璃处理；
在所述N型硅片的正面进行硼扩散形成PN结；
对硼扩散后的所述N型硅片进行边缘刻蚀处理以及去硼硅玻璃处理；
在所述N型硅片表面沉积减反膜；
在所述N型硅片正面形成正面电极，在所述N型硅片背面形成背面电极；
对所述N型硅片进行烧结，使所述正面电极与所述N型硅片形成欧姆接触，使所述背面
电极与所述N型扩散层形成欧姆接触。

2
CN103346212B说明书1/7页

一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法

技术领域
[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种磷扩散方法、P型电池制
备方法以及N型电池制备方法。

背景技术
[0002]随着科技的发展，人们对能源的需求也越来越大，而大多矿物质能源都是非可再
生能源，因此，开发利用新能源是解决当前能源危机的最主要途径。而太阳能以其无地域性
限制、无污染以及取之不竭等特点成为新能源领域研究的主要课题。
[0003]利用半导体的光生伏特效应制