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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN103346212B (45)授权公告日2015.09.09 (21)申请号201310263648.3CN102097523A,2011.06.15,全文. US3666574A,1972.05.30,全文. (22)申请日2013.06.27 审查员 (73)专利权人英利集团有限公司刘雪莲 地址071051河北省保定市翠园街722号 (72)发明人王英超熊景峰胡志岩李高非 赵文超 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限 公司11227 代理人王宝筠 (51)Int.Cl. H01L31/18(2006.01) H01L21/223(2006.01) (56)对比文件 CN101237010A,2008.08.06,全文. CN101419997A,2009.04.29,全文.权利要求书1页说明书7页附图3页 (54)发明名称 一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电 池制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种磷扩散方法、P型电池制备 方法以及N型电池制备方法,所述磷扩散方法包 括:对扩散炉进行加热;当加热至三氯氧磷与氧 气反应的温度后,通入设定流量的小氮以及氧气, 并持续加热,其中,所述小氮为携带三氯氧磷的氮 气,所述小氮的流量小于氧气的流量;当扩散内 温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后,使小氮的 流量大于氧气的流量,开始磷扩散;预设时间的 磷扩散后,进行退火处理。所述磷扩散方法在进行 加热以及稳定炉温阶段,可去除硅片表面的金属 离子,从而避免了进行磷扩散时,金属离子扩散入 硅片内形成复合中心,采用所述磷扩散方法制备 的P型电池以及N型电池具有较高的转换效率。 CN103346212B CN103346212B权利要求书1/1页 1.一种磷扩散方法,其特征在于,包括: 对扩散炉进行加热; 当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后,通入设定流量的小氮以及氧气,并持续加热, 其中,所述小氮为携带三氯氧磷的氮气,所述小氮的流量小于氧气的流量; 当扩散炉内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后,使小氮的流量大于氧气的流量,开 始磷扩散; 预设时间的磷扩散后,进行退火处理; 其中,当所述小氮的流量小于氧气的流量时,所述氧气的流量范围为 100sccm-1500sccm,包括端点值,所述小氮的流量范围为30sccm-200sccm,包括端点值; 当小氮的流量大于氧气的流量时,所述氧气的流量范围为150sccm-250sccm,包括端点 值,所述小氮的流量为600sccm-700sccm,包括端点值。 2.根据权利要求1所述的磷扩散方法,其特征在于,当所述小氮的流量小于氧气的流 量时,所述氧气的流量与所述小氮的流量比为3~7:1。 3.根据权利要求2所述的磷扩散方法,其特征在于,当所述小氮的流量小于氧气的流 量时,所述氧气的流量为500sccm,所述小氮的流量为100sccm。 4.一种P型电池制备方法,其特征在于,包括: 将经过正面制绒的P型硅片放入扩散炉内; 采用权利要求1-3任一项所述磷扩散方法,对所述P型硅片进行磷扩散,在所述P型硅 片正面形成PN结; 对磷扩散后的所述P型硅片进行边缘刻蚀处理以及去磷硅玻璃处理; 在所述P型硅片正面沉积减反膜; 在所述P型硅片正面形成正面电极,在所述P型硅片背面形成背面电极; 对所述P型硅片进行烧结,使所述正面电极以及所述背面电极均与所述P型硅片形成 欧姆接触。 5.一种N型电池的制备方法,其特征在于,包括: 将经过表面制绒的N型硅片放入扩散炉内; 采用权利要求1-3任一项所述磷扩散方法,对所述N型硅片进行磷扩散,在所述N型硅 片的背面形成一层N型扩散层; 对磷扩散后的所述N型硅片进行去磷硅玻璃处理; 在所述N型硅片的正面进行硼扩散形成PN结; 对硼扩散后的所述N型硅片进行边缘刻蚀处理以及去硼硅玻璃处理; 在所述N型硅片表面沉积减反膜; 在所述N型硅片正面形成正面电极,在所述N型硅片背面形成背面电极; 对所述N型硅片进行烧结,使所述正面电极与所述N型硅片形成欧姆接触,使所述背面 电极与所述N型扩散层形成欧姆接触。 2 CN103346212B说明书1/7页 一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法 技术领域 [0001]本发明涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种磷扩散方法、P型电池制 备方法以及N型电池制备方法。 背景技术 [0002]随着科技的发展,人们对能源的需求也越来越大,而大多矿物质能源都是非可再 生能源,因此,开发利用新能源是解决当前能源危机的最主要途径。而太阳能以其无地域性 限制、无污染以及取之不竭等特点成为新能源领域研究的主要课题。 [0003]利用半导体的光生伏特效应制
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