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(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN114284384B (45)授权公告日2024.01.30 (21)申请号202111617503.XH01L31/0224(2006.01) (22)申请日2021.12.27H01L31/0336(2006.01) H01L31/18(2006.01) (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号CN114284384A(56)对比文件 CN107851717A,2018.03.27 (43)申请公布日2022.04.05CN113322393A,2021.08.31 (73)专利权人杭州电子科技大学CN113388392A,2021.09.14 地址310018浙江省杭州市下沙高教园区2JPH10150212A,1998.06.02 号大街审查员廉海峰 (72)发明人彭雪郭欣蔡庆锋陈蔓汝 吕燕飞席俊华赵士超 (74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所 (特殊普通合伙)33240 专利代理师杨舟涛 (51)Int.Cl. H01L31/109(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页 (54)发明名称 一种基于氧化锌-磷化亚铜光电探测器的制 备方法 (57)摘要 本发明公开一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电 探测器的制备方法,本发明首先在铜箔片表面生 长磷化亚铜,然后,在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n 型氧化锌薄膜;最后在氧化锌表面沉积铝电极获 得器件。本发明在铜箔表面沉积磷化亚铜和氧化 锌构成的光电器件,制作方法简单,器件性能重 复性高,制备器件所需原材料丰富,制备简单,成 本低,对于可见光探测性能较好。 CN114284384B CN114284384B权利要求书1/1页 1.一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法,其特征在于:该方法具体包括以 下步骤: 步骤(1).将次磷酸钠放入刚玉舟中,然后在刚玉舟表面覆盖1‑5平方厘米,厚度为250‑ 1000微米的铜箔; 步骤(2).将步骤(1)的刚玉舟放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然后刚 玉管两端密封; 步骤(3).将步骤(2)刚玉管通过管式炉加热至280~300℃,升温速率10℃/min;温度升 至280~300℃后保温,保温时间为30~60min;然后自然冷却至室温,刚玉管抽真空去除管 内残留气体,然后取出产物表面生长有磷化亚铜的铜箔; 步骤(4).将步骤(3)产物作为基底,通过磁控溅射法沉积铝掺杂氧化锌薄膜;磁控溅射 设备真空度0.1‑1.0Pa,氧气流量1‑5sccm,氩气流量20‑50sccm,溅射电压300‑450V,电流 30‑60mA,溅射时间20‑40min,靶材为铝掺杂和金属锌靶;制备的氧化锌薄膜厚度50‑200nm; 步骤(5).在步骤(4)产物氧化锌薄膜表面,通过热蒸发法在n型氧化锌表面沉积铝电 极;热蒸发设备真空度5×10‑4Pa,沉积速度20nm/min。 2.根据权利要求1所述的一种光电探测器件的制备方法,其特征在于:所述的铜箔厚度 为600微米。 3.根据权利要求1所述的一种光电探测器件的制备方法,其特征在于:所述的刚玉管通 过管式炉加热至280℃。 4.根据权利要求1所述的一种光电探测器件的制备方法,其特征在于:所述的铝电极也 替换为银电极或金电极。 5.根据权利要求1所述的一种光电探测器件的制备方法,其特征在于:铝掺杂金属锌靶 材中铝掺杂量为3%。 2 CN114284384B说明书1/3页 一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法 技术领域 [0001]本发明属于材料与器件技术领域,具体涉及光电探测器件的制备方法。 背景技术 [0002]氧化锌是n型透明导电薄膜材料,磷化亚铜是p型半导体材料,两者均具有光电导 响应,可用于制备光探测器件。通过利用单一氧化锌或磷化亚铜因光照电阻变化实现光探 测的器件,由于材料受本身电学性质以及气体表面吸附的影响,光电效应较差。本专利将两 者结合,制备成pn结这种结构的器件,光电探测性能有所提升。器件制备中,为了获得性能 较好的器件,本专利使用铝掺杂的氧化锌代替氧化锌本征半导体材料。所制备器件,能够探 测可见光。 发明内容 [0003]本发明针对现有研究不足,提出了一种基于氧化锌、磷化亚铜光电探测器的制备 方法。首先在铜箔片表面生长磷化亚铜,然后,在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n型氧化锌薄膜; 最后在氧化锌表面沉积铝电极获得器件。 [0004]步骤(1).将次磷酸钠放入刚玉舟中,然后在刚玉舟表面覆盖1‑5平方厘米,厚度为 250‑1000微米的铜箔; [0005]步骤(2).将步骤(1)的刚玉舟放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然 后刚玉管两端密封; [0006]步骤(3).将步骤(2)刚玉管
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