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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117736355A (43)申请公布日2024.03.22 (21)申请号202311760851.1 (22)申请日2023.12.20 (71)申请人福建海德福新材料有限公司 地址353000福建省南平市邵武市吴家塘 镇金塘工业园区三期七牧平台 (72)发明人姚进孟祥青陈志锋崔浩 (74)专利代理机构深圳国海智峰知识产权代理 事务所(普通合伙)44489 专利代理师庹玖玲 (51)Int.Cl. C08F6/16(2006.01) C08F6/22(2006.01) C08F14/18(2006.01) C08F14/26(2006.01) 权利要求书1页说明书7页 (54)发明名称 一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方 法 (57)摘要 本发明提供了一种降低含氟聚合物中金属 杂质含量的方法,包括以下步骤:(1)将固含量为 15wt%~40wt%的含氟聚合物乳液在搅拌条件 下用去离子水稀释,得到固含量为8wt%~ 25wt%的含氟聚合物稀乳液;(2)将所述含氟聚 合物稀乳液和清洗溶液按质量比为100~500:1 进行混合,在真空和搅拌条件下进行破乳,过滤, 得到含氟聚合物湿粉料;所述清洗溶液为包含以 下质量百分含量的去离子水溶液:无机酸10wt% ~30wt%、螯合剂40wt%~55wt%;(3)将所述含 氟聚合物湿粉料与去离子水按质量比为0.2~2: 1进行混合,在搅拌条件下进行真空超声清洗,然 后过滤和干燥。所述方法能将含氟聚合物表面或 内部的金属杂质含量降至极低水平,产品的纯度 稳定达到半导体等行业的要求,具有快捷高效、 成本低廉等优点。 CN117736355A CN117736355A权利要求书1/1页 1.一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将固 含量为15wt%~40wt%的含氟聚合物乳液在搅拌条件下用去离子水稀释,得到固含量为 8wt%~25wt%的含氟聚合物稀乳液;(2)将所述含氟聚合物稀乳液和清洗溶液按质量比为 100~500:1进行混合,在真空和搅拌条件下进行破乳,过滤,得到含氟聚合物湿粉料;所述 清洗溶液为包含以下质量百分含量的去离子水溶液:无机酸10wt%~30wt%、螯合剂 40wt%~55wt%;(3)将所述含氟聚合物湿粉料与去离子水按质量比为0.2~2:1进行混合, 在搅拌条件下进行真空超声清洗,然后过滤和干燥。 2.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(1) 所述搅拌的转速为4r/min~20r/min;和/或,所述搅拌使用的搅拌器为衬氟磁棒。 3.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(2) 所述搅拌的转速为300r/min~2000r/min。 4.如权利要求1或3所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤 (2)所述搅拌时间为5min~30min。 5.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(3) 所述搅拌的转速为10r/min~70r/min。 6.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(3) 所述超声的频率为10KHz~300KHz,时间为5min~30min。 7.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(3) 所述干燥的温度为120℃~280℃。 8.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(2) 和/或步骤(3)所述真空压力为‑0.098MPa~‑0.060MPa。 9.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(2) 和/或步骤(3)所述搅拌使用的搅拌器为聚四氟乙烯搅拌棒。 10.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,所述无 机酸选自硝酸、硫酸、盐酸、磷酸中的一种或多种;和/或,所述螯合剂选自三氟乙酰丙酮、六 氟乙酰丙酮、三氟乙酰基特戊酰基甲烷、二硫代氨基甲酸酯、二乙基二硫代氨基甲酸中的一 种或多种。 2 CN117736355A说明书1/7页 一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法 技术领域 [0001]本发明属于氟化工技术领域,具体涉及一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方 法。 背景技术 [0002]含氟聚合物因具有优异的耐高低温性、耐溶剂性、介电性及耐候性等性能,不仅广 泛应用于化工、建筑、机械等传统行业,而且成为半导体等新兴行业的热门材料之一。 [0003]在半导体制造过程中,面临的最大挑战是对杂质的控制,杂质会影响半导体的电 导率,导致性能降低或者失效。在这些杂质中,金属杂质
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