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(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117736355A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311760851.1
(22)申请日2023.12.20

(71)申请人福建海德福新材料有限公司
地址353000福建省南平市邵武市吴家塘
镇金塘工业园区三期七牧平台
(72)发明人姚进孟祥青陈志锋崔浩
(74)专利代理机构深圳国海智峰知识产权代理
事务所(普通合伙)44489
专利代理师庹玖玲
(51)Int.Cl.
C08F6/16(2006.01)
C08F6/22(2006.01)
C08F14/18(2006.01)
C08F14/26(2006.01)


权利要求书1页说明书7页
(54)发明名称
一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方
法
(57)摘要
本发明提供了一种降低含氟聚合物中金属
杂质含量的方法,包括以下步骤:(1)将固含量为
15wt%~40wt%的含氟聚合物乳液在搅拌条件
下用去离子水稀释,得到固含量为8wt%~
25wt%的含氟聚合物稀乳液;(2)将所述含氟聚
合物稀乳液和清洗溶液按质量比为100~500:1
进行混合,在真空和搅拌条件下进行破乳,过滤,
得到含氟聚合物湿粉料;所述清洗溶液为包含以
下质量百分含量的去离子水溶液:无机酸10wt%
~30wt%、螯合剂40wt%~55wt%;(3)将所述含
氟聚合物湿粉料与去离子水按质量比为0.2~2:
1进行混合,在搅拌条件下进行真空超声清洗,然
后过滤和干燥。所述方法能将含氟聚合物表面或
内部的金属杂质含量降至极低水平,产品的纯度
稳定达到半导体等行业的要求,具有快捷高效、
成本低廉等优点。
CN117736355A
CN117736355A权利要求书1/1页

1.一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将固
含量为15wt%~40wt%的含氟聚合物乳液在搅拌条件下用去离子水稀释,得到固含量为
8wt%~25wt%的含氟聚合物稀乳液;(2)将所述含氟聚合物稀乳液和清洗溶液按质量比为
100~500:1进行混合,在真空和搅拌条件下进行破乳,过滤,得到含氟聚合物湿粉料;所述
清洗溶液为包含以下质量百分含量的去离子水溶液:无机酸10wt%~30wt%、螯合剂
40wt%~55wt%;(3)将所述含氟聚合物湿粉料与去离子水按质量比为0.2~2:1进行混合,
在搅拌条件下进行真空超声清洗,然后过滤和干燥。
2.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(1)
所述搅拌的转速为4r/min~20r/min;和/或,所述搅拌使用的搅拌器为衬氟磁棒。
3.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(2)
所述搅拌的转速为300r/min~2000r/min。
4.如权利要求1或3所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤
(2)所述搅拌时间为5min~30min。
5.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(3)
所述搅拌的转速为10r/min~70r/min。
6.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(3)
所述超声的频率为10KHz~300KHz,时间为5min~30min。
7.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(3)
所述干燥的温度为120℃~280℃。
8.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(2)
和/或步骤(3)所述真空压力为‑0.098MPa~‑0.060MPa。
9.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,步骤(2)
和/或步骤(3)所述搅拌使用的搅拌器为聚四氟乙烯搅拌棒。
10.如权利要求1所述的降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法,其特征在于,所述无
机酸选自硝酸、硫酸、盐酸、磷酸中的一种或多种;和/或,所述螯合剂选自三氟乙酰丙酮、六
氟乙酰丙酮、三氟乙酰基特戊酰基甲烷、二硫代氨基甲酸酯、二乙基二硫代氨基甲酸中的一
种或多种。


2
CN117736355A说明书1/7页

一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方法

技术领域
[0001]本发明属于氟化工技术领域,具体涉及一种降低含氟聚合物中金属杂质含量的方
法。

背景技术
[0002]含氟聚合物因具有优异的耐高低温性、耐溶剂性、介电性及耐候性等性能,不仅广
泛应用于化工、建筑、机械等传统行业,而且成为半导体等新兴行业的热门材料之一。
[0003]在半导体制造过程中,面临的最大挑战是对杂质的控制,杂质会影响半导体的电
导率,导致性能降低或者失效。在这些杂质中,金属杂质
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