202010935395X 宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用.pdf 立即下载
2024-08-17
约9.7千字
约15页
0
922KB
举报 版权申诉
预览加载中,请您耐心等待几秒...

202010935395X 宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用.pdf

202010935395X宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用.pdf

预览

免费试读已结束,剩余 10 页请下载文档后查看

10 金币

下载文档

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112165249B
(45)授权公告日2022.03.15
(21)申请号202010935395.X(56)对比文件
(22)申请日2020.09.08CN102870328A,2013.01.09
CN109194327A,2019.01.11
(65)同一申请的已公布的文献号CN102006063A,2011.04.06
申请公布号CN112165249ACN101710784A,2010.05.19
(43)申请公布日2021.01.01审查员盛敏

(73)专利权人浙江大学
地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘
路866号
(72)发明人陈雅婷韩雁陈鹏
(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公
司33200
代理人林松海
(51)Int.Cl.
H02M3/07(2006.01)
权利要求书1页说明书7页附图6页
(54)发明名称
宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路
设计方法及应用
(57)摘要
本发明公开了宽输出电压范围低电流失配
的电荷泵电路设计方法及应用。由MOS电流镜子
电路和NMOS电流镜子电路组成的电流镜电路,通
过镜像偏置电流源和电流槽的电流,为电荷泵输
出端提供充放电电流;MOS控制开关用于控制充
放电支路的导通断开;由电压缓冲器和反馈管组
成的低电平输出范围的电流补偿模块,通过检测
电流镜NMOS管的栅端和漏端,获取电流镜NMOS管
的电流信息,并以电流的形式补偿到电流镜PMOS
管,实现低电平输出范围时的PMOS管和NMOS管的
电流匹配;由电压缓冲器和反馈管组成的高电平
输出范围的电流补偿模块,通过检测电流镜PMOS
管的栅端和漏端,获取电流镜PMOS管的电流信
息,并以电流的形式补偿到电流镜NMOS管,实现
低电平输出范围时的NMOS管和PMOS管的电流匹
配。
CN112165249B
CN112165249B权利要求书1/1页

1.一种宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法,其特征在于:由PMOS电流
镜电路和NMOS电流镜电路组成的电流镜电路,通过镜像偏置电流源和电流槽的电流,为电
荷泵输出端提供充电电流和放电电流;由单个MOS或互补开关组成MOS控制开关,放置在
PMOS电流镜和NMOS电流镜电路中的PMOS管和NMOS管的源极、漏极或栅极,用于控制充放电
支路的导通或者断开;由电压缓冲器和反馈管组成的低电平输出范围的电流补偿模块,工
作在低的输出电压范围,通过检测电流镜NMOS管的栅端和漏端,获取电流镜NMOS管的电流
信息,并以电流的形式补偿到电流镜PMOS管,实现低电平输出范围时的PMOS管和NMOS管的
电流匹配;由电压缓冲器和反馈管组成的高电平输出范围的电流补偿模块,工作在高的输
出电压范围,通过检测电流镜PMOS管的栅端和漏端,获取电流镜PMOS管的电流信息,并以电
流的形式补偿到电流镜NMOS管,实现高电平输出范围时的NMOS管和PMOS管的电流匹配。
2.一种采用如权利要求1所述的设计方法的宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电
路,其特征在于:包括电流镜电路、MOS控制开关、低电平输出范围的电流补偿模块、高电平
输出范围的电流补偿模块;
所述的电流镜电路,包括PMOS电流镜电路和NMOS电流镜电路;其中PMOS电流镜电路通
过镜像偏置电流槽的电流,为电荷泵输出端提供充电电流;NMOS电流镜电路通过镜像偏置
电流源的电流,为电荷泵输出端提供放电电流;
所述的MOS控制开关,用于控制电荷泵充放电的导通或者断开;
所述的低电平输出范围的电流补偿模块,通过检测电流镜NMOS管的栅端和漏端,获取
电流镜NMOS管的电流信息,并以电流的形式补偿到电流镜PMOS管,实现高电平输出范围时
的PMOS管和NMOS管的电流匹配;
所述的高电平输出范围的电流补偿模块,通过检测电流镜PMOS管的栅端和漏端,获取
电流镜PMOS管的电流信息,并以电流的形式补偿到电流镜NMOS管,实现低电平输出范围时
的NMOS管和PMOS管的电流匹配。
3.如权利要求2所述的电荷泵电路,其特征在于:所述的MOS控制开关,按照开关所处
的位置,包括开关位于源极、漏极和栅极三种。
4.如权利要求2所述的电荷泵电路,其特征在于:所述的包含PMOS器件和NMOS器件均为
具有源极、漏极、栅极以及体端的四端口结构。
5.如权利要求2所述的电荷泵电路,其特征在于:所述的PMOS器件和NMOS器件均为金属
氧化物半导体MOS晶体管。
6.一种电荷泵型锁相环电路,其特征在于:采用了如权利要求2‑5任一项所述的电荷泵
电路。


2
CN112165249B说明书1/7页

宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用
查看更多
单篇购买
VIP会员(1亿+VIP文档免费下)

扫码即表示接受《下载须知》

202010935395X 宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用

文档大小:922KB

限时特价:扫码查看

• 请登录后再进行扫码购买
• 使用微信/支付宝扫码注册及付费下载,详阅 用户协议 隐私政策
• 如已在其他页面进行付款,请刷新当前页面重试
• 付费购买成功后,此文档可永久免费下载
全场最划算
12个月
199.0
¥360.0
限时特惠
3个月
69.9
¥90.0
新人专享
1个月
19.9
¥30.0
24个月
398.0
¥720.0
6个月会员
139.9
¥180.0

6亿VIP文档任选,共次下载特权。

已优惠

微信/支付宝扫码完成支付,可开具发票

VIP尽享专属权益

VIP文档免费下载

赠送VIP文档免费下载次数

阅读免打扰

去除文档详情页间广告

专属身份标识

尊贵的VIP专属身份标识

高级客服

一对一高级客服服务

多端互通

电脑端/手机端权益通用