2013106109836碳化硅籽晶粘接装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号(10)申请公布号CCNN110360303703603037A
(43)申请公布日2014.02.26
(21)申请号201310610983.6
(22)申请日2013.11.26
(71)申请人河北同光晶体有限公司
地址071000河北省保定市北二环5699号
大学科技园6号楼B座四楼A007
(72)发明人陶莹高宇邓树军赵梅玉
段聪
(74)专利代理机构北京轻创知识产权代理有限
公司11212
代理人杨立
(51)Int.Cl.
C30B23/00(2006.01)
C30B29/36(2006.01)

权权利要求书1页利要求书1页说明书2页说明书2页附图1页附图1页
(54)发明名称
碳化硅籽晶粘接装置
(57)摘要
本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置，包
括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶与所述籽晶粘接板
粘接，所述石墨盖和所述籽晶粘接板固定连接，所
述籽晶粘接板厚度小于等于2mm。本发明将原籽
晶粘接石墨板分成两个部分，使用厚度较小的籽
晶粘接板粘接籽晶，晶体生长完成降温后，因籽晶
粘接板薄，且可以产生变形，可以有效释放晶体中
的应力，降低晶体与晶片的破碎率。
CN103603037A
CN10367A
CN103603037A权利要求书1/1页

1.一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于：包括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶与所述籽
晶粘接板粘接，所述石墨盖和所述籽晶粘接板固定连接，所述籽晶粘接板厚度小于等于
2mm。
2.根据权利要求1所述一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于：所述籽晶粘接板厚度
为0.5mm。
3.根据权利要求1或2所述一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于：所述籽晶粘接板
材质为石墨。
4.根据权利要求1或2所述一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于：所述石墨为模压
石墨或等静压石墨。
5.根据权利要求1或2所述一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于：所述石墨盖和所
述籽晶粘接板粘接或螺纹连接。

2
CN103603037A说明书1/2页

碳化硅籽晶粘接装置

技术领域
[0001]本发明涉及一种晶体生长领域，特别涉及一种碳化硅籽晶粘接装置。

背景技术
[0002]作为第三代半导体材料，碳化硅具有非常优异的物理、化学性能，这就决定了碳化
硅在高端光电、大功率、微波射频等领域具有广阔的应用前景和市场空间。但是碳化硅单
晶衬底中含有的高密度缺陷会极大地影响碳化硅基各类器件的实际性能，甚至导致器件失
效。因此对碳化硅单晶衬底存在的缺陷进行研究是非常必要和重要的。
[0003]碳化硅材料是弹性模量很大的晶体，PVT（物理气相传输方法）法生长碳化硅晶体
需在2000℃以上，一般晶体生长是籽晶直接粘接在石墨盖上，进行生长，这样的结构在冷却
中因为石墨和碳化硅单晶的膨胀系数的不同产生严重的应力，晶体直径越大、晶体厚度越
厚厚、籽晶粘接石墨板越厚，晶体应力越大，特别是4英寸以上的大尺寸晶体，经常会产生
晶体裂的问题。

发明内容
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种碳化硅籽晶粘接装置，解决在晶体生长的
冷却过程中因为石墨和碳化硅单晶的膨胀系数的不同，产生严重的应力，造成晶体裂的问
题。
[0005]为解决上述技术问题，一种碳化硅籽晶粘接装置，包括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶
与所述籽晶粘接板粘接，所述石墨盖和所述籽晶粘接板固定连接，所述籽晶粘接板厚度小
于等于2mm。
[0006]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进：
[0007]进一步的，籽晶粘接板厚度为0.5mm。
[0008]进一步的，籽晶粘接板材质为石墨。
[0009]进一步的，所述石墨为模压石墨或等静压石墨。
[0010]进一步的，所述石墨盖和所述籽晶粘接板粘接或螺纹连接。
[0011]本发明不同之处在于把原籽晶粘接石墨板分成两个部分，一是石墨盖，二为籽晶
粘接板；使用厚度较小的籽晶粘接板粘接籽晶，晶体生长完成降温后，因籽晶粘接板薄，且
可以产生变形，可以有效释放晶体中的应力。

附图说明
[0012]图1为本发明一种籽晶粘接装置第一种具体实施方式的结构示意图。
[0013]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0014]1、石墨盖，2、籽晶粘接板，3、籽晶，4、石墨坩埚，5、原料。

具体实施方式

3
CN103603037A说明书2/2页

[0015]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并
非用于限定本发明的范围。
[0016]图1为本发明一种籽晶粘接装置的第一种具体实施方式的结构示意图，如图1所
示，在第一种具体实施方式中，本发明提供的籽晶粘接装置，包括包括石墨盖（1）和籽晶粘
接板（2），籽晶（3）与所述籽晶粘接板（