2018100290680碳化硅晶片及其定位边加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109037307A
(43)申请公布日2018.12.18
(21)申请号201810029068.0H01L29/16(2006.01)

(22)申请日2018.01.12
(30)优先权数据
1061189792017.06.08TW
(71)申请人环球晶圆股份有限公司
地址中国台湾新竹市科学工业园区工业东
二路8号
(72)发明人温禅儒黄慰国李依晴谢启祥
(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理
有限公司11205
代理人吴志红臧建明
(51)Int.Cl.
H01L29/06(2006.01)
H01L21/68(2006.01)
H01L21/02(2006.01)
权利要求书1页说明书4页附图3页
(54)发明名称
碳化硅晶片及其定位边加工方法
(57)摘要
本发明提出一种碳化硅晶片及其定位边加
工方法。所述碳化硅晶片具有第一平口与第二平
口。第一平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处
分别为第一R角，且第一R角的半径为1mm～10mm。
第二平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处分
别为第二R角，且第二R角的半径为1mm～10mm。由
于平口两端与碳化硅晶片的边缘衔接处设有最
佳半径范围的R角，所以能提高晶片加工量率与
品质。
CN109037307A
CN109037307A权利要求书1/1页

1.一种碳化硅晶片，具有第一平口与第二平口，其特征在于：
所述第一平口的两端与所述碳化硅晶片的边缘衔接处分别为第一R角，且所述第一R角
的半径为1mm～10mm；以及
所述第二平口的两端与所述碳化硅晶片的所述边缘衔接处分别为第二R角，且所述第
二R角的半径为1mm～10mm。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中所述第一R角的所述半径等于所述第二R角
的所述半径。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中所述第一R角的所述半径大于所述第二R角
的所述半径。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中所述第一平口的宽度大于所述第二平口的
宽度。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中所述第一平口与所述第二平口的位置呈90
度角。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中所述碳化硅晶片的直径为50mm～200mm。
7.一种碳化硅晶片的定位边加工方法，包括
检验碳化硅晶片的原始规格，以取得所述碳化硅晶片的直径、所述碳化硅晶片的第一
平口处的直径以及所述碳化硅晶片的第二平口处的直径；
当所述碳化硅晶片的所述直径、所述第一平口处的所述直径以及所述第二平口处的所
述直径大于或等于对应的第一规范值，则进行加工段数的评估；
根据所述评估，对所述碳化硅晶片进行多段式进给，以于所述第一平口的两端与所述
碳化硅晶片的边缘衔接处分别形成第一R角并于所述第二平口的两端与所述碳化硅晶片的
所述边缘衔接处分别形成第二R角；以及
检验所述碳化硅晶片的处理后规格，以取得所述碳化硅晶片的所述直径、所述第一平
口处的所述直径、所述第一平口的宽度、所述第二平口处的所述直径、所述第二平口的宽
度、所述第一R角的半径以及所述第二R角的半径；以及
当所述碳化硅晶片的所述直径、所述第一平口处的所述直径以及所述第二平口处的所
述直径大于或等于对应的第二规范值，则完成所述碳化硅晶片的定位边加工。
8.根据权利要求7所述的碳化硅晶片的定位边加工方法，还包括当所述碳化硅晶片的
所述直径、所述第一平口处的所述直径以及所述第二平口处的所述直径小于对应的所述第
一规范值，则进行换片。
9.根据权利要求7所述的碳化硅晶片的定位边加工方法，还包括当所述碳化硅晶片的
所述直径、所述第一平口处的所述直径以及所述第二平口处的所述直径小于对应的所述第
二规范值，则进行换片。

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CN109037307A说明书1/4页

碳化硅晶片及其定位边加工方法

技术领域
[0001]本发明涉及一种碳化硅(SiC)晶片加工技术，尤其涉及一种碳化硅晶片及其定位
边加工方法。

背景技术
[0002]与传统半导体硅晶片相比，碳化硅晶片因为具有较宽的能隙与高温稳定性等特
性，所以目前在高温、高压、高频、高功率及光电等电子元件领域应用中，碳化硅晶片已成为
主要的基板材料。
[0003]然而，由于碳化硅材料本身的硬度高，所以不易对晶片的平口(flat)与晶片边缘
衔接处进行加工，也因此造成晶片的平口与晶片边缘衔接处有应力集中问题，容易在搬运
或装箱过程中产生破裂，而无法提升碳化硅晶片的良率(yeild)。

发明内容
[0004]本发明提供一种碳化硅晶片，能降低平口两端的应力。
[0005]本发明提供一种碳化硅晶片的定位边加工方法，可提升良率。
[0006]本发明的碳化硅晶片具有第一平口与第二平口。第一平口的两端与