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(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111644748B
(45)授权公告日2022.06.10
(21)申请号202010584262.2B23K26/082(2014.01)
(22)申请日2020.06.24B23K26/70(2014.01)
(65)同一申请的已公布的文献号审查员彭绍
申请公布号CN111644748A
(43)申请公布日2020.09.11
(73)专利权人中国船舶重工集团公司第七二五
研究所
地址471000河南省洛阳市洛龙区滨河南
路169号
(72)发明人石绪忠周洋王腾达
(74)专利代理机构洛阳公信知识产权事务所
(普通合伙)41120
专利代理师逯雪峰
(51)Int.Cl.
B23K26/36(2014.01)权利要求书1页说明书3页
(54)发明名称
一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层
的方法
(57)摘要
一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层
的方法,采用激光波长为1.064的纳米激光
器对镁合金微弧氧化膜层进行激光去除,激光输
出功率为6~18W,激光频率为25~100KHz,扫描
方式为对微弧氧化膜层重复进行多次激光光束
扫描,相邻两次的扫描方向相互垂直,扫描线间
距为0.05~0.09mm,扫描速度为510~2000mm/s。
本发明降低了激光输出功率,并对激光的扫描方
式、扫描线间距和扫描速度进行设置,既可以对
微弧氧化膜层进行充分去除,又可以避免对镁合
金表面造成烧蚀,保证激光去除后镁合金的表面
质量,膜层去除速度快且干净,膜层去除后镁合
金的表面粗糙度不超过3.2,满足镁合金微
弧氧化膜层去除的要求。
CN111644748B
CN111644748B权利要求书1/1页

1.一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在于:采用激光波长为
1.064的纳米激光器对镁合金微弧氧化膜层进行激光去除,激光输出功率为6~18W,激
光频率为25~100KHz,扫描方式为对微弧氧化膜层重复进行多次激光光束扫描,相邻两次
的扫描方向相互垂直,扫描线间距为0.05~0.09mm,扫描速度为510~2000mm/s。
2.根据权利要求1所述的一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在
于:对镁合金微弧氧化膜层上受到激光光束扫描的区域进行电阻测量,当区域内任意两点
之间的电阻均为零时,镁合金微弧氧化膜层的去除完成,停止对该区域的激光扫描。
3.根据权利要求1所述的一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在
于:激光输出功率为18W,频率为50KHz,扫描线间距为0.05mm,扫描速度为1000mm/s。
4.根据权利要求1所述的一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在
于:激光输出功率为9W,频率为50KHz,扫描线间距为0.05mm,扫描速度为1500mm/s。
5.根据权利要求1所述的一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在
于:激光输出功率为6W,频率为30KHz,扫描线间距为0.05mm,扫描速度为510mm/s。
6.根据权利要求1所述的一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在
于:激光输出功率为18W,频率为100KHz,扫描线间距为0.09mm,扫描速度为2000mm/s。
7.根据权利要求1所述的一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法,其特征在
于:激光输出功率为12W,频率为25KHz,扫描线间距为0.09mm,扫描速度为2000mm/s。


2
CN111644748B说明书1/3页

一种快速光洁地去除镁合金微弧氧化膜层的方法

技术领域
[0001]本发明涉及镁合金氧化膜层去除方法领域,尤其涉及一种快速光洁地去除镁合金
微弧氧化膜层的方法。

背景技术
[0002]镁具有低密度、高比强度、高比刚度、电磁屏蔽性能等优点,在军工、机械、电子、医
疗器械等领域具有广泛的应用前景。然而镁及其合金极易腐蚀,在特殊环境下(如海水、有
机/无机盐溶液、有机/无机酸碱溶液等),镁合金会与周围的介质发生化学或电化学反应。
[0003]为提高镁合金的耐腐蚀能力,业内常采用微弧氧化进行表面处理,在基体表面生
成高硬度、致密的陶瓷膜。然而,镁合金的微弧氧化膜层的主要成分为氧化镁或氧化镁的复
合氧化物,难以采用酸液或碱液去除,且酸碱液渗透至基体容易造成基体的过腐蚀。化学方
法除膜需要加热、成本高、能耗高、污染严重、工艺复杂、容易伤到镁合金内部。
[0004]激光清除因其非直接接触、无污染、易操控的优点,已开始应用于合金的表面处
理,尤其广泛适用于铝合金的表面处理,取得了良好的效果,但现有的激光清除技术对镁合
金的效果不佳,难以满足要求。如申请号为201310293821.4的现有技术中
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