2020107230921一种引线框架的蚀刻工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111668141A
(43)申请公布日2020.09.15
(21)申请号202010723092.1
(22)申请日2020.07.24
(71)申请人山东新恒汇电子科技有限公司
地址255088山东省淄博市高新区中润大
道187号
(72)发明人朱林黄伟朱春阳刘松源
马伟凯徐治段升红秦小波
李昌文陈迅刘琪阮晓玲
(74)专利代理机构淄博佳和专利代理事务所
(普通合伙)37223
代理人李坤
(51)Int.Cl.
H01L21/67(2006.01)
H01L23/495(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页
(54)发明名称
一种引线框架的蚀刻工艺
(57)摘要
一种引线框架的蚀刻工艺，属于引线框架生
产技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤1）
将腐蚀液仅喷至引线框架（1）两表面的中部，对
引线框架（1）的中部进行预蚀刻，预蚀刻完成后
将腐蚀液吸走；步骤2）将腐蚀液喷至引线框架
（1）两个表面上，并使腐蚀液覆盖引线框架（1）的
两个表面，对引线框架（1）的整个表面进行蚀刻，
蚀刻完成后将腐蚀液吸走，然后再对引线框架
（1）水洗；步骤3）将碱液喷至引线框架（1）两侧的
表面上，使掩膜与引线框架（1）脱离，然后对引线
框架（1）水洗；步骤4）对引线框架（1）进行电镀处
理；步骤5）对引线框架（1）进行注塑封装。本发明
提高了引线框架表面蚀刻的均匀性，生产的引线
框架质量稳定。
CN111668141A
CN111668141A权利要求书1/1页

1.一种引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1）将腐蚀液仅喷至引线框架（1）两表面的中部，对引线框架（1）的中部进行预蚀
刻，预蚀刻完成后将腐蚀液吸走；
步骤2）将腐蚀液喷至引线框架（1）两个表面上，并使腐蚀液覆盖引线框架（1）的两个表
面，对引线框架（1）的整个表面进行蚀刻，蚀刻完成后将腐蚀液吸走，然后再对引线框架（1）
水洗；
步骤3）将碱液喷至引线框架（1）两侧的表面上，使掩膜与引线框架（1）脱离，然后对引
线框架（1）水洗；
步骤4）对引线框架（1）进行电镀处理；
步骤5）对引线框架（1）进行注塑封装。
2.在据权利要求1所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：步骤1）或步骤2）中所述的
腐蚀液通过吸液刀（2）吸走，吸液刀（2）位于引线框架（1）上侧，吸液刀（2）的下侧设置有垂
直于引线框架（1）输送方向的吸液口（202），吸液口（202）连接有抽负压装置。
3.根据权利要求2所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：所述的吸液口（202）与引
线框架（1）的间距为0.1~1mm。
4.根据权利要求1所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：步骤3）中所述的碱液为氢
氧化钠溶液。
5.根据权利要求1所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：步骤4）中所述的引线框架
（1）经喷砂处理后再进行电镀处理。
6.根据权利要求5所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：对步骤4）中电镀处理后的
所述引线框架（1）再进行喷砂处理。
7.根据权利要求5或6所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：所述的喷砂处理所用
的喷砂液的体积浓度为10%~20%。
8.根据权利要求7所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：所述的喷砂处理的喷砂压
2
力为0.8~2.0kg/cm。

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CN111668141A说明书1/3页

一种引线框架的蚀刻工艺

技术领域
[0001]一种引线框架的蚀刻工艺，属于引线框架生产技术领域。

背景技术
[0002]引线框架是半导体封装的基础材料，是集成线路芯片的载体，生产引线框架的主
要材料是铜合金，主要通过冲压的方式生产，冲压完成后需要对引线框架进行蚀刻，以实现
高密度和多脚数引线框架的生产。
[0003]蚀刻工艺的基本原理是利用化学感光材料的光敏特性，在铜带上形成抗蚀刻掩
膜，通过腐蚀溶液蚀刻掉部分金属，得到所需的产品。在对引线框架进行蚀刻时，由于水池
效应的存在，会导致引线框架边沿的位置的铜带蚀刻的程度要远大于中部蚀刻的程度，即
引线框架边沿与中部的蚀刻速度不一致，影响了引线框架蚀刻的均匀性，如果要整个引线
框架蚀刻的均匀，则很容易出现边沿部分蚀刻过度的现象。

发明内容
[0004]本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种优先对引线框架中
部进行预蚀刻，保证引线框架的整个表面蚀刻均匀的引线框架的蚀刻工艺。
[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该引线框架的蚀刻工艺，其特征在
于：包括如下步骤：
步骤1）将腐蚀液仅喷至引线框架两表面的中部，对引线框架的中部进行预蚀刻，预蚀
刻完成后将腐蚀液吸走；
步骤2）将腐蚀液喷至引线框架