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第5章 存储器系统 5.1 内部存储器主要分为哪两类? 它们的主要区别是什么? 解: (1)分为ROM和RAM。 (2)它们之间的主要区别是: 。ROM在正常工作时只能读出,不能写入。RAM则可读可写。 。断电后,ROM中的内容不会丢失,RAM中的内容会丢失。 5.2 为什么动态RAM需要定时刷新? 解:DRAM的存储元以电容来存储信息,由于存在漏电现象,电容中存储的电荷会逐渐泄漏,从而使信息丢失或出现错误。因此需要对这些电容定时进行“刷新”。 5.3 CPU寻址内存的能力最基本的因素取决于___________。 解:地址总线的宽度。 5.4 试利用全地址译码将6264芯片接到8088系统总线上,使其所占地址范围为32000H~33FFFH。 解:将地址范围展开成二进制形式如下图所示。 00110010000000000000 00110011111111111111 6264芯片的容量为8×8KB,需要13根地址线A0~A12。而剩下的高7位地址应参加该芯片的地址译码。 电路如图所示: WE5.5 内存地址从20000H~8BFFFH共有多少字节? 解:共有8BFFFH-20000H+1=6C000H个字节。或432KB。 5.6 若采用6264芯片构成上述的内存空间,需要多少片6264芯片? 解:每个6264芯片的容量位8KB,故需432/8=54片。 5.7 设某微型机的内存RAM区的容量位128KB,若用2164芯片构成这样的存储器,需多少2164芯片?至少需多少根地址线?其中多少根用于片内寻址?多少根用于片选译码? 解: (1)每个2164芯片的容量为64K×1bit,共需128/64×8=16片。 (2)128KB容量需要地址线17根。 (3)16根用于片内寻址。 (4)1根用于片选译码。 注意,用于片内寻址的16根地址线要通过二选一多路器连到2164芯片,因为2164芯片是DRAM,高位地址与低位地址是分时传送的。 5.8 现有两片6116芯片,所占地址范围为61000H~61FFFH,试将它们连接到8088系统中。并编写测试程序,向所有单元输入一个数据,然后再读出与之比较,若出错则显示“Wrong!“,全部正确则显示”OK!“。 解:连接如下图所示。测试程序段如下: OK DB ‘OK!’,$ WRONG DB ‘Wrong!’,$ … MOV AX,6100H MOV ES,AXMOV DI,0 MOV CX,1000H MOV AL,55H REP STOSB MOV DI,0 MOV CX,1000H REPZ SCASB JZ DISP_OK LEA DX,WRONG MOV AH,9 INT 21H HLT DISP_OK: LEA DX,OK MOV AH,9 INT 21H HLT≥15.9 甚什么是字扩展?什么是位扩展?用户自己购买内存条进行内存扩充,是在进行何种存储器扩展? 解: (1)当存储芯片的容量小于所需内存容量时,需要用多个芯片构成满足容量要求的存储器,这就是字扩展。 (2)当存储芯片每个单元的字长小于所需内存单元字长时,需要用多个芯片构成满足字长要求的存储模块,这就是位扩展。 (3)用户在市场上购买内存条进行内存扩充,所做的是字扩展的工作。 5.10 74LS138译码器的接线图如教材的图5-47所示,试判断其输出端Y0#、Y3#、Y5#和Y7#所决定的内存地址范围。 解:因为是部分地址译码(A17不参加译码),故每个译码输出对应2个地址范围: Y0#:00000H~01FFFH和20000H~21FFFH Y3#:06000H~07FFFH和26000H~27FFFH Y5#:0A000H~0BFFFH和2A000H~2BFFFH Y7#:0E000H~0FFFFH和2E000H~2FFFFH 5.11 某8088系统用2764ROM芯片和6264SRAM芯片构成16KB的内存。其中,ROM的地址范围为0FE000H~0FFFFFH,RAM的地址范围为0F0000H~0F1FFFH。试利用74LS138译码,画出存储器与CPU的连接图,并标出总线信号名称。 解:连接如下图所示。WE5.12叙述EPROM的编程过程,并说明EPROM和EEPROM的不同点。(不要求) 解: (1)对EPROM芯片的编程过程详见教材第215~217页。 (2)EPROM与EEPROM的不同之处为: 。EPROM用紫外线擦除,EEPROM用电擦除。 。EPROM是整片擦除,EEPROM可以整片擦除,也可以逐个字节地擦除。 5.13试说明FLASHEEPROM芯片的特点及28F040的编程过程。(不要求) 解: (1)特点是:它结合了RAM和ROM的优点,读写速度接近于RAM,

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