第四章-通用VLSI-豆柴文库

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第四章通用VLSI电路的设计与分析§4-1只读存贮器（ROM）§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-1掩膜ROM§4-1-2可编程ROM（PROM）§4-1-3EPROM§4-1-3EPROM§4-1-4EEPROM§4-1-4EEPROM§4-1-4EEPROM§4-1-4EEPROM§4-1-5ROM的种类与特点§4-2-1六管SRAM单元§4-2-1六管SRAM单元§4-2-2CMOS-SRAM§4-3-1三管DRAM§4-3-2单管DRAM§4-3-2单管DRAM§4-3-2单管DRAM§4-3-2单管DRAM§4-4-1门阵列§4-4-1门阵列§4-4-1门阵列§4-4-2可编程逻辑器件（PLD）PLD原理
PLD缓冲器


PLD阵列交叉点连接方式
硬线连接——交叉处标记为“•”
被编程单元——交叉处标记为“ⅹ”
被擦除单元——交叉处无标记PLD原理
PLD与门PLD原理
PLD或门低密度PLD的主要类型PROM结构FPLA结构PAL和GAL
基本阵列§4-4-2可编程逻辑器件（PLD）§4-4-2可编程逻辑器件（PLD）§4-4-2可编程逻辑器件（PLD）现场可编程门阵列（FPGA）
高密度可编程逻辑器件
阵列由三部分组成
可配置逻辑模块CLB
输入/输出模块IOB
互连资源ICR
图8-4-1XC4000系列FPGA基本结构§4-4-2可编程逻辑器件（PLD）§4-4-2可编程逻辑器件（PLD）PLD的设计过程设计准备
选择系统方案
选择合适的器件
设计输入
原理图输入
硬件描述语言输入设计处理
编译、适配
编程文件
设计校验
功能仿真
时序仿真
器件编程
数据配置