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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN105144577B
(45)授权公告日2016.08.31
(21)申请号201380075886.X(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限
(22)申请日2013.12.26公司11243
代理人范胜杰曹鑫
(30)优先权数据
2013-1720732013.08.22JP(51)Int.Cl.
H03F3/217(2006.01)
(85)PCT国际申请进入国家阶段日
2015.10.22(56)对比文件
CN1305660A,2001.07.25,
(86)PCT国际申请的申请数据JP2006262121A,2006.09.28,
PCT/JP2013/0848192013.12.26
审查员唐宇希
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2015/025440JA2015.02.26
(73)专利权人株式会社京三制作所
地址日本神奈川县
(72)发明人让原逸男相川谕大间亮介

权利要求书1页说明书13页附图15页
(54)发明名称
D类放大器
(57)摘要
在D类放大器中,抑制高频RF区域中的振荡
现象,降低冲击电压。通过在D类放大电路的电源
侧连接振荡吸收电路,由D类放大电路和连接的
振荡吸收电路等价地构成振荡电路,并将振荡吸
收电路所具备的电阻作为振荡电路的衰减电阻,
来进行振荡现象的抑制和冲击电压的降低。振荡
吸收电路由电阻和电感的RL并联电路构成。振荡
吸收电路和D类放大电路构成振荡电路,振荡吸
收电路的电阻在高频RF区域中构成振荡电路的
衰减电阻。
CN105144577B
CN105144577B权利要求书1/1页

1.一种D类放大装置,其特征在于,
具备:
D类放大电路,其在封装内具备具有至少一个开关元件的串联电路的电桥电路、相对于
所述开关元件的串联电路并联连接的旁路电容器;以及
振荡吸收电路,其连接到所述D类放大电路的电源输入端,
所述振荡吸收电路由电阻和电感的RL并联电路构成,
在所述振荡吸收电路和所述D类放大电路构成的振荡电路中,所述振荡吸收电路的电
阻的电阻值以所述旁路电容器的值作为参数来设定,构成衰减电阻。
2.根据权利要求1所述的D类放大装置,其特征在于,
构成所述振荡吸收电路的电阻的电阻值,基于在通过所述电阻、所述旁路电容器、和由
布线电感和开关元件的电容的串联电路构成的布线阻抗的并联电路表示的2次振荡系统的
振荡电路中,将衰减系数和谐振频率的积除以所述旁路电容器的值所得的值,
所述振荡电路的谐振频率是构成电桥电路的各支路的布线阻抗的布线电感和开关元
件的电容的积的平方根的倒数的值。
3.根据权利要求1或2所述的D类放大装置,其特征在于,
所述电桥电路是由2个开关元件的串联电路形成的半桥电路,或者是将2个开关元件的
串联电路并联连接而形成的全桥电路。


2
CN105144577B说明书1/13页

D类放大器

技术领域
[0001]本发明涉及D类放大器,特别涉及具备由开关元件形成的全桥电路或者半桥电路
的D类放大器。

背景技术
[0002]已知通过开关动作将直流电源的直流变换为高频交流的高频电源。作为该高频电
源,已知基于D类放大电路(D类:IEC国际标准IEC60268-34类操作)的D类高频电源。
[0003]D类高频电源利用RF功率放大元件形成全桥电路或半桥电路,通过将该RF功率放
大元件作为开关元件而以恒定占空比(Duty)的RF栅极信号进行开关动作,将直流电源的直
流变换为高频交流,并将得到的高频交流作为高频行波电力供给到负载。D类高频电源通过
脉冲驱动模式或连续驱动模式进行输出调整。在脉冲驱动模式中,通过RF栅极信号使RF功
率放大元件进行开关动作,是交替地具有输出RF输出的ON(导通)区间和不进行开关动作、
不输出RF输出的OFF(关断)区间这两区间的驱动形态,通过改变ON区间与OFF区间的时间比
率即占空比(Duty)来调整RF输出的输出功率。能够通过脉冲控制信号的ON区间和OFF区间
的占空比(Duty)来控制ON区间和OFF区间的占空比。此外,RF意味着高频。
[0004]图11是基于以往已知的电桥电路结构的RF频带的D类放大电路的结构例。此外,这
里表示了通过MOSFET的开关元件构成全桥电路的例子。D类放大电路将经由布线电感La和
在D类放大电路的封装内设置的引线的引线电感Lp从直流电源部供给的直流变换为高频交
流并供给到负载。
[0005]在开关频率不高的低频RF区域中,为了抑制在MOSFET的导通-关断(ON-OFF)时发

生的冲击电压,在封装的外部的引线间连接有旁路电容器C2。

[0006]基于旁路电容器C2的冲击电压抑制,是由于在低频RF区域中,MOSF
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