发明授权-2014103231436-电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN104300090B
(45)授权公告日2017.12.22
(21)申请号201410323143.6(51)Int.Cl.
(22)申请日2014.07.08H01L51/52(2006.01)
H01L27/32(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号G11B7/12(2012.01)
申请公布号CN104300090AH04N5/369(2011.01)
(43)申请公布日2015.01.21(56)对比文件
(30)优先权数据CN102057750A,2011.05.11,
2013-1477432013.07.16JPCN101518151A,2009.08.26,
(73)专利权人索尼公司CN101540475A,2009.09.23,
地址日本东京CN101645578A,2010.02.10,
JP特开2001-111163A,2001.04.20,
(72)发明人渡部义昭河角孝行US2011/0146779A1,2011.01.23,
(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理JP特开2009-239241A,2009.10.15,
有限责任公司11290US2007/0013291A1,2007.01.18,
代理人梁兴龙曹正建审查员黄宇

权利要求书2页说明书12页附图9页
(54)发明名称
电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置
(57)摘要
本发明提供了一种具有高放热性和高可靠
性的保护膜的电子装置、光盘装置、显示装置和
摄像装置。所述电子装置包括：电子元件；和包括
氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖
所述电子元件，所述氧化硅散布在所述氧化铝层
的表面上。
CN104300090B
CN104300090B权利要求书1/2页

1.一种电子装置，包括：
电子元件；和
包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述电子元件，所述氧化硅散布
在所述氧化铝层的表面上。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述保护膜还包括在所述电子元件和所述氧
化铝层之间的中间层，所述中间层含有氮化铝。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化硅在所述氧化铝层的表面上的分布
密度为约5×1016个/cm2以下。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化硅是SiOx，其中0<x≤2。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化硅通过向所述氧化铝层的表面上施
加含有氧和硅的等离子体形成。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中
所述电子元件是半导体发光元件，以及
所述保护膜作为最上层覆盖所述半导体发光元件的共振器端面。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中
所述电子元件是有机发光元件，以及
所述保护膜覆盖所述有机发光元件的端面。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中
所述电子元件是摄像元件，以及
所述保护膜作为最上层覆盖所述摄像元件。
9.一种光盘装置，包括：
具有记录面的光盘；
向所述光盘的记录面施加照射光的光源；
检测来自所述光盘的记录面的反射光的光电探测器；和
控制所述光盘、所述光源和所述光电探测器的操作的控制部，
其中所述光源包括：
具有被构造成发射所述照射光的共振器端面的半导体发光元件，和
包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述半导体发光元件的共振器端
面，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。
10.一种显示装置，包括：
一对基板；
夹在所述一对基板之间并按顺序包括第一电极、有机层和第二电极的有机发光元件；
和
包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述有机发光元件的端部，所述
氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。
11.一种摄像装置，包括：
摄像元件，所述摄像元件包括光接收部和集光部，所述光接收部包括光电转换元件，所
述集光部被构造成将入射光聚集到所述光接收部上；和
包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述摄像元件，所述氧化硅散布

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CN104300090B权利要求书2/2页
在所述氧化铝层的表面上。

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CN104300090B说明书1/12页

电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置

[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请要求享有于2013年7月16日提交的日本在先专利申请JP2013-147743的权
益，其全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域
[0003]本公开涉及一种具有保护膜的电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置。

背景技术
[0004]近年来，各种激光二极管元件(半导体发光元件)已广泛用作光盘记录和再现装置
用的光源。近来，作为记录密度高的下一代高密度光盘用的光源，对使用诸如氮化镓(GaN)
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