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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN104243062B (45)授权公告日2017.05.10 (21)申请号201410429158.0H04B1/00(2006.01) (22)申请日2014.08.27H04B1/40(2015.01) (65)同一申请的已公布的文献号(56)对比文件 申请公布号CN104243062A杨光林等.《RF-LDMOS射频功率器件内匹配 电路设计》.《微电子学》.2013,第43卷(第5期), (43)申请公布日2014.12.24第716-718,736页. (73)专利权人京信通信系统(中国)有限公司审查员高胜凯 地址510663广东省广州市萝岗区科学城 神舟路10号 (72)发明人林锡贵靳军谢路平樊奇彦 张晖刘江涛李娣曹松 (74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理 有限公司44224 代理人王程 (51)Int.Cl. H04B17/391(2015.01)权利要求书2页说明书7页附图7页 (54)发明名称 上行系统以及改善上行系统性能的方法和 系统 (57)摘要 本发明提供一种上行系统以及改善上行系 统性能的方法和系统,本发明在上行系统中的双 工器和低噪声放大器之间搭建匹配网络,所述匹 配网络的搭建参数通过如下步骤获取:分别获取 双工器和低噪放的阻抗参数以及散射网络参数; 根据获取的参数计算出匹配网络的目标阻抗参 数以及目标散射网络参数;建立匹配网络模型, 对匹配网络模型进行仿真,当匹配网络模型的仿 真结果与所述目标参数相符时,根据当前匹配网 络模型导出匹配网络的搭建参数。本发明实现了 双工器与低噪声放大器的匹配,既保证了上行系 统输入端口驻波比满足系统要求,同时实现了系 统的低噪声系数。本发明匹配网络搭建参数的获 取方法简单、易于实现,且保证了较高的精度。 CN104243062B CN104243062B权利要求书1/2页 1.一种改善上行系统性能的方法,其特征在于,在上行系统中的双工器和低噪声放大 器之间搭建匹配网络,所述匹配网络的搭建参数通过如下步骤获取: 分别获取上行系统中双工器和低噪声放大器的阻抗参数以及散射网络参数; 根据获取的双工器和低噪声放大器的阻抗参数以及散射网络参数,计算出匹配网络的 目标阻抗参数以及目标散射网络参数; 建立匹配网络模型,对所述匹配网络模型进行仿真,获取仿真阻抗参数以及仿真散射 网络参数; 调整所述匹配网络模型,当所述匹配网络模型的仿真阻抗参数以及仿真散射网络参数 与所述目标阻抗参数以及目标散射网络参数相符时,根据当前匹配网络模型导出匹配网络 的搭建参数。 2.根据权利要求1所述的改善上行系统性能的方法,其特征在于,所述匹配网络模型包 括插入至PCB板的对插射频接头,所述对插射频接头的内导体穿出PCB板的底层,所述PCB板 的底层具有空气盒,所述空气盒罩住所述对插射频接头穿出PCB板底层部分的内导体,所述 搭建参数包括所述内导体穿出PCB板后在PCB板底层形成的圆形无铜箔区域的直径、所述内 导体穿出PCB底层后剩余部分的长度以及所述空气盒形成的空气腔的高度。 3.根据权利要求2所述的改善上行系统性能的方法,其特征在于,所述匹配网络模型还 包括电抗微带线,所述电抗微带线一端连接所述对插射频接头的内导体,另一端连接至与 所述低噪声放大器相连的PCB板微带线,所述搭建参数还包括该电抗微带线的宽度和长度。 4.一种改善上行系统性能的系统,其特征在于,包括搭建参数生成模块,所述搭建参数 生成模块用于获取在上行系统中的双工器和低噪声放大器之间搭建的匹配网络的搭建参 数,所述搭建参数生成模块包括: 获取模块,用于获取上行系统中双工器和低噪声放大器的阻抗参数以及散射网络参 数; 计算模块,用于根据获取的双工器和低噪声放大器的阻抗参数以及散射网络参数,计 算出匹配网络的目标阻抗参数以及目标散射网络参数; 建模模块,用于建立匹配网络模型,对所述匹配网络模型进行仿真,获取仿真阻抗参数 以及仿真散射网络参数; 导出模块,用于在调整所述匹配网络模型后,当所述匹配网络模型的仿真阻抗参数以 及仿真散射网络参数与所述目标阻抗参数以及目标散射网络参数相符时,根据当前匹配网 络模型导出匹配网络的搭建参数。 5.根据权利要求4所述的改善上行系统性能的系统,其特征在于,所述建模模块获取的 匹配网络模型包括插入至PCB板的对插射频接头,所述对插射频接头的内导体穿出PCB板的 底层,所述PCB板的底层具有空气盒,所述空气盒罩住所述对插射频接头穿出PCB板底层部 分的内导体,所述搭建参数包括所述内导体穿出PCB板后在PCB板底层形成的圆形无铜箔区 域的直径、所述内导体穿出PCB底层后剩余部分的长度以及所述空气盒形成的空气腔的高 度。 6
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