发明授权-2015106227244-成膜装置及成膜基板制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN105463386B
(45)授权公告日2018.10.12
(21)申请号201510622724.4(51)Int.Cl.
(22)申请日2015.09.25C23C14/34(2006.01)
C23C14/54(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN105463386A审查员谢荟

(43)申请公布日2016.04.06
(30)优先权数据
2014-2025012014.09.30JP
2015-1720852015.09.01JP
(73)专利权人芝浦机械电子装置株式会社
地址日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目
5番1号
(72)发明人川又由雄
(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理
有限公司11205
代理人张洋臧建明权利要求书2页说明书15页附图9页
(54)发明名称
成膜装置及成膜基板制造方法
(57)摘要
本发明提供一种成膜装置及成膜基板制造
方法。本发明的成膜装置包括：腔室，被导入溅射
气体；搬送部，设置在腔室内，且具有循环搬送工
件的搬送路径；靶，由堆积在工件上而成为膜的
成膜材料形成，且设置在与搬送路径隔开并对向
的位置；第一电源部，通过对靶施加电力，而使溅
射气体等离子体化，且使成膜材料堆积在工件
上；以及电源控制部，在工件利用搬送部而通过
供成膜材料堆积的区域即成膜区域期间，根据工
件相对于靶的位置的变化，使第一电源部对靶施
加的电力变化。本发明具有小型且省空间的优
点，且无论工件的形状如何，均能够高速且高效
率地以均匀的厚度成膜。
CN105463386B
CN105463386B权利要求书1/2页

1.一种成膜装置，使溅射气体等离子体化，且使成膜材料堆积在工件上，其特征在于包
括：
腔室，被导入溅射气体；
搬送部，设置在所述腔室内，循环搬送工件；
溅射源，由堆积在所述工件而成为膜的所述成膜材料形成，且具有靶，所述靶设置在与
利用所述搬送部使所述工件移动的路径对向的位置；
电源部，对所述靶施加电力；以及
电源控制部，在经由所述搬送部被循环搬送而移动中的所述工件通过作为供所述成膜
材料堆积的区域的成膜区域期间，当所述工件相对于所述靶的间隔、方向或从平面方向观
察到的重叠面积变化时，根据所述变化使所述电源部对所述靶施加的电力变化，并使对所
述工件的成膜材料的堆积量相对地变化。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：
当所述工件中的成为成膜对象的面与所述靶的垂直方向的距离变化时，所述电源控制
部根据所述变化使所述电源部对所述靶施加的电力变化。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于：
所述电源控制部是所述距离越短则使施加的电力越小，所述距离越长则使施加的电力
越大。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
所述电源控制部使所述电源部施加的电力以指定的振幅及周期变化。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于：
所述电源控制部在所述工件的循环搬送的一圈中，按照所规定的变化模式，使所述电
源部对所述靶施加的电力变化。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：
所述搬送部具有将所述工件相对于所述工件的搬送方向的角度保持为固定的多个保
持部，且所述保持部以等间隔配设。
7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于：
所述保持部将所述工件保持在通过所述成膜区域的工件通过与所述靶的距离成为最
大的部位及与所述靶的距离成为最小的部位的位置。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于：
所述搬送部具有设置着所述保持部的旋转台。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于：
所述搬送部具有设置着所述保持部的旋转筒。
10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：
所述溅射源具有多个所述靶，
所述电源部针对每个靶改变使施加的电力变化的时点。
11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：
具有检测距离的传感器，
所述电源控制部连接于所述传感器，根据由所述传感器检测出的到所述工件的表面的
距离，使所述电源部施加的电力变化。

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CN105463386B权利要求书2/2页
12.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于：
所述传感器设置在对到所述工件的表面的距离成为最大的部位、与到所述工件的表面
的距离成为最小的部位进行检测的位置。
13.一种成膜基板制造方法，其特征在于：
在被导入有溅射气体的腔室内，利用搬送部循环搬送基板，
电源部对与被循环搬送的所述基板的移动路径对向地配置的靶施加电力，由此，使腔
室内的溅射气体等离子体化，且使成膜材料堆积在经由所述搬送部被循环搬送而移动中的
基板上，
通过所述搬送部使所述基板移动，当随着所述基板的移动而所述基板