发明授权-2016800007652-成膜装置以及成膜工件制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN107429385B
(45)授权公告日2019.11.22
(21)申请号201680000765.2(73)专利权人芝浦机械电子装置株式会社
(22)申请日2016.02.29地址日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目
5番1号
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN107429385A(72)发明人福冈洋太郎八木聡介
(43)申请公布日2017.12.01(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理
有限公司11205
(30)优先权数据代理人马爽臧建明
2015-0577842015.03.20JP
(51)Int.Cl.
(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C14/50(2006.01)
2016.08.26
(56)对比文件
(86)PCT国际申请的申请数据US2010276283A1,2010.11.04,
PCT/JP2016/0560792016.02.29US2007034148A1,2007.02.15,
(87)PCT国际申请的公布数据审查员蒋一征
WO2016/152395JA2016.09.29

权利要求书2页说明书12页附图9页
(54)发明名称
成膜装置以及成膜工件制造方法
(57)摘要
本发明提供能够利用简单的构成，以均一的
厚度在立体物等包括多个面的工件上成膜的成
膜装置以及成膜工件制造方法。所述成膜装置包
括：包含平面的成膜材料的靶材；电源部，将电力
施加至靶材；自转部，使作为成膜对象的工件以
自转轴为中心而自转；以及公转部，使自转部以
与自转轴不同的公转轴为中心而公转，借此，使
工件反复地靠近与远离靶材，自转过程中及公转
过程中的自转轴固定于使与该自转轴正交的自
转轨道面相对于与公转轴正交的公转轨道面具
有第1倾斜角度的角度，靶材固定于使平面相对
于公转轨道面具有第2倾斜角度的角度。
CN107429385B
CN107429385B权利要求书1/2页

1.一种成膜装置，其特征在于包括：
包含平面的成膜材料的靶材；
电源部，将电力施加至所述靶材；
自转部，使作为成膜对象的具有成膜对象面的工件，以与所述成膜对象面交叉的自转
轴为中心而自转；以及
公转部，使所述自转部以与所述自转轴不同的公转轴为中心而公转，借此使所述工件
反复地接近与远离所述靶材，
自转过程中及公转过程中的所述自转轴固定于使与所述自转轴正交的自转轨道面相
对于与所述公转轴正交的公转轨道面呈第1倾斜角度的角度，
所述靶材固定于使所述平面相对于所述公转轨道面呈第2倾斜角度的角度，
所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度大于0°且不足90°，
所述自转轨道面包含所述成膜对象面，且以所述成膜对象面朝向所述公转轴而向内且
朝向所述公转轴而向上的方式倾斜。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最接近所述
靶材的位置，所述自转轴不与所述靶材的所述平面平行的角度。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最远离
所述靶材的位置，所述自转轨道面与所述靶材的所述平面平行的角度。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度相同。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中由所述自转部引起的所述工件自转的旋转速
度比由所述公转部引起的所述工件公转的旋转速度更快。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，其配设有多个所述靶材。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，其配设有多个所述自转部。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，其设置有可改变与所述公转轴正交的方向的位置
的所述自转部。
9.根据权利要求1所述的成膜装置，其中所述第1倾斜角度设定为可变。
10.一种成膜工件制造方法，其特征在于包括如下步骤：
一面使由自转部的自转轴所支持的作为成膜对象的具有成膜对象面的工件，以与所述
成膜对象面交叉的所述自转轴为中心而自转，一面由支持所述自转部的公转部使所述工件
以与所述自转轴不同的公转轴为中心而公转；以及
由电源部将电力施加至成膜材料的靶材，借此使导入至所述靶材的平面周围的溅镀气
体等离子体化，使所述成膜材料堆积于所述工件的成膜对象面；并且
与所述自转轴正交的自转轨道面相对于与所述公转轴正交的公转轨道面，具有在成膜
过程中固定的第1倾斜角度，
所述靶材固定于使所述平面相对于所述公转轨道面呈第2倾斜角度的角度，
所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度大于0°且不足90°，
所述自转轨道面包含所述成膜对象面，且以所述成膜对象面朝向所述公转轴而向内且
朝向所述公转轴而向上的方式倾斜。
11.根据权利要求10所述的成膜工件制造方法，其中所述公转部通过使所述自转部公
转来使所述工件反复地接近与远离