发明授权-2018100821266-半导体装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109509786B
(45)授权公告日2021.09.10
(21)申请号201810082126.6(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
(22)申请日2018.01.2972002
代理人房永峰
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN109509786A(51)Int.Cl.
H01L29/417(2006.01)
(43)申请公布日2019.03.22H01L29/78(2006.01)
(30)优先权数据(56)对比文件
2017-1782862017.09.15JPCN106486369A,2017.03.08
(73)专利权人株式会社东芝US2007004126A1,2007.01.04
地址日本东京都JP2014038922A,2014.02.27
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会CN106252416A,2016.12.21
社审查员周天微

(72)发明人西郡正人北原宏良深居靖史
寺田直纯

权利要求书2页说明书5页附图6页
(54)发明名称
半导体装置
(57)摘要
实施方式提供一种在晶体管的饱和区域、漏
极电流稳定的半导体装置。实施方式的半导体装
置具有：第1导电型的半导体部分；第2导电型的
第1半导体层以及第2半导体层，相互隔离地设于
上述半导体部分的上层部分；栅电极，设于上述
半导体部分上；第1接触部，贯通上述栅电极，下
部配置于上述第1半导体层内，下端与上述第1半
导体层连接；第2接触部，贯通上述栅电极，下部
配置于上述第2半导体层内，下端与上述第2半导
体层连接；第1绝缘膜，设于上述第1接触部的侧
面和上述第1半导体层之间以及上述第1接触部
和上述栅电极之间；以及第2绝缘膜，设于上述第
2接触部的侧面和上述第2半导体层之间以及上
述第2接触部和上述栅电极之间。
CN109509786B
CN109509786B权利要求书1/2页

1.一种半导体装置，其特征在于，
具有：
第1导电型的半导体部分；
第2导电型的第1半导体层以及第2半导体层，相互隔离地设于上述半导体部分的上层
部分；
栅电极，设于上述半导体部分上；
第1接触部，贯通上述栅电极，下部配置于上述第1半导体层内，下端与上述第1半导体
层连接；
第2接触部，贯通上述栅电极，下部配置于上述第2半导体层内，下端与上述第2半导体
层连接；
第1绝缘膜，设于上述第1接触部的侧面和上述第1半导体层之间以及上述第1接触部和
上述栅电极之间；以及
第2绝缘膜，设于上述第2接触部的侧面和上述第2半导体层之间以及上述第2接触部和
上述栅电极之间。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有：
第3绝缘膜，包围上述半导体部分的位于上述第1半导体层和上述第2半导体层之间的
第1部分、上述第1半导体层的与上述第1部分相接的部分、以及上述第2半导体层的与上述
第1部分相接的部分；以及
绝缘部件，包围上述栅电极，贯通上述第3绝缘膜、上述第1半导体层以及上述第2半导
体层。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1绝缘膜、上述第2绝缘膜以及上述绝缘部件由第1绝缘材料构成，
从上方看，上述绝缘部件的最小宽度比由上述第1接触部以及上述第1绝缘膜构成的构
造体的最小宽度小。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
还具有设于上述第1接触部、上述第2接触部以及上述绝缘部件的相互之间的层间绝缘
膜，
上述第3绝缘膜以及上述层间绝缘膜由与上述第1绝缘材料不同的第2绝缘材料构成。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1绝缘膜以及上述第2绝缘膜与上述绝缘部件一体形成。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1绝缘膜以及上述第2绝缘膜与上述绝缘部件隔离。
7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
还具有第3接触部，
上述栅电极被上述第1绝缘膜、上述第2绝缘膜以及上述绝缘部件分割成沿着从上述第
1半导体层朝向上述第2半导体层的方向排列的3个部分，
上述第3接触部与配置于上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜之间的上述部分连接。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

2
CN109509786B权利要求书2/2页
还具有第3绝缘膜，该第3绝缘膜包围上述半导体部分的位于上述第1半导体层和上述
第2半导体层之间的沟道部分、上述第1半导体层的与上述沟道部分相接的部分、以及上述
第2半导体层的与上述沟道部分相接的部分，
从上方看，上述第3绝缘膜的内缘配置于上述栅电极内。
9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述栅电极包含与上述半导体部分所包含的半导体材料相同的半导体材料，包含与上
述半导