发明授权-2018101605480-半导体装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109524466B
(45)授权公告日2022.04.19
(21)申请号201810160548.0(51)Int.Cl.
(22)申请日2018.02.27H01L29/78(2006.01)
H01L29/06(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN109524466A(56)对比文件
US2017263768A1,2017.09.14
(43)申请公布日2019.03.26KR20100067874A,2010.06.22
(30)优先权数据US2017263768A1,2017.09.14
2017-1794842017.09.19JPCN104716183A,2015.06.17
(73)专利权人株式会社东芝US2013062688A1,2013.03.14
地址日本东京都US2013069150A1,2013.03.21
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US2004155287A1,2004.08.12
26481A1,2018.08.09
社US20182
US9530882B1,2016.12.27
(72)发明人加藤浩朗小林研也
审查员宋晶晶
(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

72002
代理人刘英华权利要求书2页说明书9页附图21页
(54)发明名称
半导体装置
(57)摘要
实施方式的半导体装置具备漏极层、漂移
层、基底区域、源极区域、沟槽、基底接触件区域、
栅极区域及场板电极。漏极层在第1方向及第2方
向上扩展。漂移层形成于上述漏极层的表面。基
底区域形成于上述漂移层的表面。源极区域形成
于上述基底区域的表面。沟槽形成为阵列状，从
上述源极区域的表面贯通上述基底区域并到达
上述漂移层。基底接触件区域沿着上述第2方向
而形成，与上述沟槽不邻接地从上述源极区域的
表面连接到上述基底区域。栅极区域在上述沟槽
的内壁隔着绝缘膜而形成。场板电极在上述栅极
区域的内侧隔着绝缘膜而形成，并形成为比上述
栅极区域长。
CN109524466B
CN109524466B权利要求书1/2页

1.一种半导体装置，具备：
第1导电型的漏极层，在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上扩展；
第1导电型的漂移层，形成于上述漏极层的表面，该表面是上述漏极层的与上述第1方
向及上述第2方向交叉的第3方向上的一个面；
第2导电型的基底区域，形成于上述漂移层的表面；
第1导电型的源极区域，形成于上述基底区域的表面；
多个沟槽，该多个沟槽为在上述第1方向及上述第2方向上形成为阵列状的沟槽，且从
上述源极区域的表面沿着上述第3方向贯通上述基底区域而到达上述漂移层；
第2导电型的基底接触件区域，是在沿着上述第1方向的沟槽彼此之间以在上述第2方
向上延伸的方式形成的基底接触件区域，且形成为在上述源极区域内与上述沟槽分离，并
与上述基底区域电连接；
多个栅极区域，沿着各个上述沟槽的内壁隔着绝缘膜形成于上述沟槽内；
多个场板电极，在各个上述栅极区域隔着绝缘膜而相邻并在上述沟槽内沿着上述第3
方向形成，在上述第3方向上形成为比上述栅极区域长；
第1源极接触件，在上述基底接触件区域及上述源极区域的上表面，在沿着上述第1方
向的沟槽彼此之间，以沿着上述第2方向延伸的方式形成，与上述基底接触件区域及上述源
极区域电连接；
第2源极接触件，在上述场板电极的上表面，与上述场板电极电连接；以及
栅极接触件，在上述栅极区域的上表面与上述栅极区域电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：
第1金属层，与上述基底接触件区域及上述源极区域经由上述第1源极接触件而连接，
与各个上述场板电极经由上述第2源极接触件而连接；
第2金属层，与上述第1金属层通过绝缘膜而绝缘，与各个上述栅极区域经由上述栅极
接触件而连接；以及
第3金属层，以与上述第1金属层连接，并且与上述第2金属层通过绝缘膜而绝缘的方
式，层叠在上述第1金属层及上述第2金属层的上述第3方向上而形成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述沟槽配置成矩形格子状或者斜方格子状。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述沟槽配置成矩形格子状或者斜方格子状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向大致正交。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向大致正交。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向大致正交。
8.根据权利要求1、2、3、5或7所述的半导体装置，其中，
上述第1方向与上述第2方向大致正交，
上述沟槽是在上述第1