发明授权-201810946471X-半导体装置.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110277448B
(45)授权公告日2022.07.26
(21)申请号201810946471.X(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
(22)申请日2018.08.2072002
专利代理师牛玉婷
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN110277448A(51)Int.Cl.
H01L29/78(2006.01)
(43)申请公布日2019.09.24H01L29/40(2006.01)
(30)优先权数据H01L21/336(2006.01)
2018-0500962018.03.16JP(56)对比文件
(73)专利权人株式会社东芝US2001048132A1,2001.12.06
地址日本东京都JPH10173170A,1998.06.26
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US2016284824A1,2016.09.29
社WO2015093190A1,2015.06.25
(72)发明人西胁达也大麻浩平松叶博审查员刘梦婷

相田喜久夫洪洪

权利要求书2页说明书11页附图21页
(54)发明名称
半导体装置
(57)摘要
实施方式提供一种抑制了在恢复动作时产
生破坏的半导体装置。实施方式的半导体装置具
备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的基
底区域，形成在上述第1半导体区域之上；多个栅
极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导
体区域；多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极
电极的每个栅极电极的周围；第1区域，是处于上
述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的形成有
第1导电型的源极区域的区域；第2区域，在上述
多个区域中，位于上述第1区域的末端区域，未形
成有上述源极区域；第1宽度的第1接触部，形成
于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电
连接；以及比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接
触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上
述源极电极电连接。
CN110277448B
CN110277448B权利要求书1/2页

1.一种半导体装置，其中，具备：
第1导电型的第1半导体区域；
第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上；
多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域；
多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个栅极电极的周围；
第1区域，是上述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的位于两个上述栅极绝缘膜之间
的区域，上述第1区域形成有第1导电型的源极区域；
第2区域，是上述多个区域中的位于两个上述栅极绝缘膜之间的区域，上述第2区域位
于上述第1区域的末端区域，上述第2区域未形成有上述源极区域；
第1宽度的第1接触部，形成于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电连接；以及
比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上
述源极电极电连接，
上述基底区域、上述栅极电极、上述栅极绝缘膜、上述第1区域、上述第2区域、上述第1
接触部及上述第2接触部沿着第1方向连续地形成，
上述第2区域设置在与上述第1方向交叉的方向即第2方向的两侧，在这些设置在两侧
的上述第2区域分别形成有1个上述第2接触部，并且在这些上述第2区域之间形成有多个上
述第1区域，
在多个上述第1区域分别形成的上述第1接触部的上述第1方向的两端的末端部，以比
上述第1宽度宽的第3宽度分别形成有第3接触部。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1接触部与上述第2接触部由金属形成。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第3接触部的上述第3宽度与上述第2接触部的上述第2宽度相同。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1接触部以及上述第2接触部由第2导电型的第2半导体区域形成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
还具备处于上述多个栅极电极的每个栅极电极的下方的、被埋入于上述第1半导体区
域的多个场板电极。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
上述多个场板电极连接于上述栅极电极或者上述源极电极。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
在上述多个场板电极的周围形成有比上述栅极绝缘膜厚的场板绝缘膜。
8.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
上述第1接触部、上述第2接触部以及上述第3接触部由第2导电型的第3半导体区域形
成。
9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
形成于上述第2区域的上述第2接触部的深度比形成于上述第1区域的上述第1接触部
的深度深。
10.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

2
CN110277448B权利要求书2/2页
形成于上述第2区域的上述第2接触部的深度比形成于上述第1区域的上述第1接触部
的深度深，并且，
形成于