发明授权-2018110299272-半导体装置.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110299411B
(45)授权公告日2022.05.24
(21)申请号201811029927.2(51)Int.Cl.
(22)申请日2018.09.05H01L29/78(2006.01)
H01L29/423(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号H01L21/336(2006.01)
申请公布号CN110299411A
(56)对比文件
(43)申请公布日2019.10.01JP2008047602A,2008.02.28
(30)优先权数据US8319314B2,2012.11.27
2018-0547982018.03.22JPUS2014284709A1,2014.09.25
(73)专利权人株式会社东芝JP2007129097A,2007.05.24
地址日本东京都CN104347351A,2015.02.11
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US2014117441A1,2014.05.01
07145416A1,2007.06.28
社US20
CN103681853A,2014.03.26
(72)发明人河村圭子
审查员廖碧艳
(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

72002
专利代理师牛玉婷权利要求书3页说明书6页附图14页
(54)发明名称
半导体装置
(57)摘要
半导体装置具备第1半导体层、设置在上述
第1半导体层上的第2半导体层、设置在上述第2
半导体层上的第3半导体层、以及分别设置在具
有从上述第3半导体层的上表面到上述第1半导
体层之中的深度的多个沟槽的内部的多个控制
电极。上述半导体装置还具备：设置在上述多个
控制电极之中的相邻的第1控制电极以及第2控
制电极之间的绝缘区域；设置在上述第1半导体
层、上述第1控制电极以及上述第2控制电极与上
述绝缘区域之间的第4半导体层；与上述第1控制
电极以及上述第4半导体层相接的第1绝缘膜；以
及与上述第2控制电极以及上述第4半导体层相
接的第2绝缘膜。上述绝缘区域的上述第1半导体
层中的端部位于比上述多个控制电极的上述第1
半导体层中的端部低的层级。
CN110299411B
CN110299411B权利要求书1/3页

1.一种半导体装置，其中，具备：
第1导电型的第1半导体层；
第2导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上；
第1导电型的第3半导体层，设置在上述第2半导体层上；
多个控制电极，分别设置于具有从上述第3半导体层的上表面到达上述第1半导体层之
中的深度的多个沟槽的内部，具有位于上述第1半导体层中的端部；
绝缘区域，设置在上述多个控制电极之中的、在沿着上述第1半导体层与上述第2半导
体层的界面的第1方向上相邻的第1控制电极与第2控制电极之间，在从上述第3半导体层朝
向上述第1半导体层的第2方向上延伸，具有位于上述第1半导体层中的端部，该端部位于上
述第2方向上比上述多个控制电极的端部的层级靠下的层级；
第2导电型的第4半导体层，设置在上述绝缘区域与上述第1半导体层之间、上述绝缘区
域与上述第1控制电极之间、以及上述绝缘区域与上述第2控制电极之间；
第1绝缘膜，设置在上述第1控制电极与上述第4半导体层之间，位于上述第1控制电极
以及上述第4半导体层之间的部分整体与上述第4半导体层相接；
第2绝缘膜，设置在上述第2控制电极与上述第4半导体层之间，位于上述第2控制电极
以及上述第4半导体层之间的部分整体与第4半导体层相接；以及
第1电极，连接于上述第3半导体层以及上述第4半导体层。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述绝缘区域在上述第2方向以及与上述第2方向交叉的第3方向上延伸，该第3方向是
沿着上述第1半导体层与上述第2半导体层的界面的方向。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具备与上述第1半导体层电连接的第2电极；
上述第1半导体层、上述第2半导体层以及上述第3半导体层位于上述第1电极与上述第
2电极之间；
上述第2方向上的从上述第2电极到上述绝缘区域的距离比上述第2方向上的从上述第
2电极到上述多个控制电极中的一个控制电极的距离短。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
还具备上述第1导电型的第5半导体层，该第5半导体层设置在上述第1半导体层与上述
第2电极之间，包含浓度比上述第1半导体层高的第1导电型杂质。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
还具备设置在上述第1半导体层与上述第2电极之间的第2导电型的第5半导体层。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上述第1绝缘膜与上述第4半导体层之间以及上述第2绝缘膜与上述第4半导体层之
间，没有设置上述第1半导体层的一部分。
7.如权利要求1所述的半