发明授权-2018111308989-成膜装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109576654B
(45)授权公告日2021.02.26
(21)申请号201811130898.9(51)Int.Cl.
(22)申请日2018.09.27C23C14/34(2006.01)
C23C14/56(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号C23C14/50(2006.01)
申请公布号CN109576654A
审查员张改璐
(43)申请公布日2019.04.05

(30)优先权数据
2017-1909352017.09.29JP
(73)专利权人芝浦机械电子装置株式会社
地址日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目
5番1号(邮递区号:247-8610)
(72)发明人小野大祐
(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理
有限公司11205
代理人杨贝贝臧建明
权利要求书2页说明书13页附图10页
(54)发明名称
成膜装置
(57)摘要
本发明提供一种可通过使移动的工件附近
的压力下降来提升膜的致密性的成膜装置。成膜
装置包括：成膜部，具有在一端具有开口的成膜
室，在成膜室内具有包括成膜材料的靶材，利用
成膜室内的溅射气体中生成的等离子体使靶材
的成膜材料堆积于与开口相向的工件的表面以
进行成膜；以及搬运体，通过沿着规定的搬运路
径对工件进行搬运而使所述工件反复通过与成
膜室的开口相向的相向区域及不与成膜室的开
口相向的非相向区域，搬运体具有：低压部位，载
置工件，在通过相向区域时，使成膜室内小于等
离子体的着火下限压力且大于等于等离子体的
放电维持下限压力；以及高压部位，不载置工件，
在通过相向区域时，使成膜室内大于等于着火下
限压力。
CN109576654B
CN109576654B权利要求书1/2页

1.一种成膜装置，其特征在于具有：
能够使内部为真空的容器；
成膜部，设于所述容器内，具有在一端具有开口的成膜室，在所述成膜室内具有包括成
膜材料的靶材，利用所述成膜室内的溅射气体中生成的等离子体使所述靶材的成膜材料堆
积于与所述开口相向的工件的表面以进行成膜；以及
搬运体，通过沿着搬运路径对所述工件进行搬运而使所述工件反复通过与所述成膜室
的所述开口相向的相向区域及不与所述成膜室的所述开口相向的非相向区域，
所述搬运体具有：
低压部位，具有载置所述工件的凹部，在通过所述相向区域时，使所述成膜室内小于等
离子体的着火下限压力且大于等于等离子体的放电维持下限压力；以及
高压部位，不载置所述工件，在通过所述相向区域时，使所述成膜室内大于等于着火下
限压力，
所述凹部具有载置所述工件的区域及未载置所述工件的区域，所述凹部中未载置所述
工件的区域的与所述开口相向的相向面跟所述靶材的距离比所述高压部位的与所述开口
相向的相向面跟所述靶材的距离长。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述低压部位的沿所述搬运路径方向
的距离及所述高压部位的沿所述搬运路径方向的距离分别大于等于所述开口的沿所述搬
运路径方向的距离。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，所述低压部位与所述开口之间的
流导大于所述高压部位与所述开口之间的流导。
4.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述搬运体是以圆周的轨迹使所述工件循环搬运的旋转平台，
所述开口及所述低压部位为扇形。
5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于具有：
膜处理部，在所述低压部位及所述高压部位所对着的区域，使物质化合于由所述成膜
部形成在所述工件上的膜，由此进行生成化合物膜的处理，
相对于所述高压部位与所述开口之间的流导，所述低压部位与所述开口之间的流导为
超过1.0倍且小于等于10.0倍。
6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，设所述低压部位通过所述相向区
域时的所述成膜室内的压力为P1、所述低压部位的与所述开口相向的相向面跟所述靶材的
距离为H1、所述高压部位通过所述相向区域时的所述成膜室内的压力为P2、所述高压部位
的与所述开口相向的相向面跟所述靶材的距离为H2时，P1×H1≤P2×H2。
7.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，所述低压部位的与所述开口相向
的相向面跟所述靶材的距离被设置为可变。
8.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，在所述低压部位，经由一个或多个
托盘而载置有所述工件。
9.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于具有：气体供给部，以在所述低压部
位通过所述相向区域时使所述成膜室内大于等于等离子体的放电维持下限压力并且小于
等离子体的着火下限压力，在所述高压部位通过所述相向区域时使所述成膜室内大于等于

2
CN109576654B权利要求书2/2页
着火下限压力的方式将所