发明授权-2018112742335-光检测装置及光检测测距装置.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110311008B
(45)授权公告日2022.11.01
(21)申请号201811274233.5(51)Int.Cl.
(22)申请日2018.10.30H01L31/107(2006.01)
H01L25/04(2014.01)
(65)同一申请的已公布的文献号G01S17/08(2006.01)
申请公布号CN110311008A
审查员姚辉坤
(43)申请公布日2019.10.08

(30)优先权数据
2018-0533532018.03.20JP
(73)专利权人株式会社东芝
地址日本东京都
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会
社
(72)发明人国分弘一松本展
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
11247
专利代理师张轶楠段承恩权利要求书2页说明书7页附图13页
(54)发明名称
光检测装置及光检测测距装置
(57)摘要
本公开提供光检测效率高的光检测装置。光
检测装置具备：设置于半导体基板的第1主表面
上的第1导电型的硅层；第1半导体层，设置于所
述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的
杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导
体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成
pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1
导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与
所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1
电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。
CN110311008B
CN110311008B权利要求书1/2页

1.一种光检测装置，具备：
硅层，设置于半导体基板的第1主表面上，是第1导电型；
第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；
第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边
界；
第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，
与所述第1半导体层分隔开；
电连接于所述硅层的第1电极；以及
设置于所述第2半导体层之上，电连接于所述第2半导体层的第2电极，
所述第3半导体层配置于所述第1半导体层与所述半导体基板之间，不与所述第1电极
以及所述第2电极电连接，
所述第3半导体层，设置于外围区域，在与所述pn边界的边界面垂直的方向上进行俯视
的情况下，所述第3半导体层包围所述第1半导体层，并且，所述第3半导体层的端部与所述
第1半导体层的端部重叠或者所述第3半导体层的端部靠近所述第1半导体层的端部。
2.根据权利要求1所述的光检测装置，
所述第3半导体层的杂质浓度至少为所述硅层的杂质浓度的10倍以上。
3.一种光检测装置，具备：
第1导电型的硅层，设置于半导体基板的第1主表面上；
第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；
第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边
界；
绝缘层，设置于所述硅层内，与所述第1半导体层分隔开；
电连接于所述硅层的第1电极；以及
设置于所述第2半导体层之上，电连接于所述第2半导体层的第2电极，
所述绝缘层配置于所述第1半导体层与所述半导体基板之间，
所述绝缘层，设置于外围区域，在与所述pn边界的边界面垂直的方向上进行俯视的情
况下，所述绝缘层包围所述第1半导体层，并且，所述绝缘层的端部与所述第1半导体层的端
部重叠或者所述绝缘层的端部靠近所述第1半导体层的端部。
4.根据权利要求3所述的光检测装置，
所述绝缘层的下表面越朝向所述第1半导体层的中央部的正下区域越倾斜地向上突
出。
5.一种光检测装置，具备：
第1导电型的硅层，设置于半导体基板的第1主表面上；
第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；
第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边
界；
导电层，设置于所述硅层内，与所述第1半导体层分隔开；
电连接于所述硅层的第1电极；以及
设置于所述第2半导体层之上，电连接于所述第2半导体层的第2电极，

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CN110311008B权利要求书2/2页
所述导电层配置于所述第1半导体层与所述半导体基板之间，不与所述第1电极以及所
述第2电极电连接，
所述导电层，设置于外围区域，在与所述pn边界的边界面垂直的方向上进行俯视的情
况下，所述导电层包围所述第1半导体层，并且，所述导电层的端部与所述第1半导体层的端
部重叠或者所述导电层的端部靠近所述第1半导体层的端部。
6.一种光检测测距装置，具备：
权利要求1所述的光检测装置；
使红外线激光振荡的激光振荡器；以及
扫描装置，扫描所述红外线激光，向所述光检测装置照射。

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CN