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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN110517710B (45)授权公告日2021.02.12 (21)申请号201811470060.4(51)Int.Cl. (22)申请日2018.11.27G11B5/596(2006.01) (65)同一申请的已公布的文献号(56)对比文件 申请公布号CN110517710ACN105023582A,2015.11.04 (43)申请公布日2019.11.29审查员杨松林 (30)优先权数据 2018-0979352018.05.22JP (73)专利权人株式会社东芝 地址日本东京都 专利权人东芝电子元件及存储装置株式会 社 (72)发明人河边享之 (74)专利代理机构北京市中咨律师事务所 11247 代理人徐健段承恩权利要求书1页说明书20页附图20页 (54)发明名称 磁盘装置及读/写处理方法 (57)摘要 本发明的实施方式提供一种能够提高读处 理性能的磁盘装置及读/写处理方法。本实施方 式涉及的磁盘装置具备:盘;头,对所述盘写数 据,从所述盘取数据;以及控制器,将对所述盘的 第1轨道和一部分与所述第1轨道重叠的第2轨道 进行了写入时的所述头的位置信息写到以所述 第1轨道开始读处理的所述第1轨道的第1区域。 CN110517710B CN110517710B权利要求书1/1页 1.一种磁盘装置,具备: 盘; 头,对所述盘写数据,从所述盘读数据;以及 控制器,将对所述盘的第1轨道和对所述第1轨道的一部分进行重叠写入的第2轨道进 行了写入时的所述头的位置信息写到所述第1轨道的第1区域,从所述第1区域开始相继地 对所述第1轨道和所述第2轨道进行读处理。 2.根据权利要求1所述的磁盘装置, 所述控制器使所述位置信息向与所述第2轨道相反的方向移位来进行写入。 3.根据权利要求1所述的磁盘装置, 所述控制器在与所述第1区域在所述盘的半径方向上相邻的所述第2轨道的第2区域以 外的所述第2轨道的第3区域写数据。 4.根据权利要求1所述的磁盘装置, 所述控制器在与所述第1区域在所述盘的半径方向上相邻的所述第2轨道的第2区域, 向与所述第1轨道相反的方向移位来写数据。 5.根据权利要求1~4中任一项所述的磁盘装置, 所述控制器以比容许所述头向与所述第2轨道相反的方向的偏离的第1阈值小的、容许 所述头向所述第2轨道的方向的偏离的第2阈值,控制所述头来写数据。 6.根据权利要求1~4中任一项所述的磁盘装置, 所述控制器根据所述位置信息中的进行了所述第1轨道的写入时的第1位置信息来进 行所述第2轨道的写入。 7.根据权利要求1~4中任一项所述的磁盘装置, 所述控制器在所述第1区域读取所述位置信息,根据所述位置信息中的进行了所述第1 轨道的写入时的第1位置信息来进行所述第2轨道的写入,根据所述第1位置信息和所述位 置信息中的进行了所述第2轨道的写入时的第2位置信息来进行所述第1轨道的读取。 8.根据权利要求7所述的磁盘装置, 所述控制器在读所述第1轨道的除了所述第1区域之外的第4区域时,根据对所述第4区 域进行了数据写入时的所述头的第1位置、和对与所述第4区域在半径方向上相邻的所述第 2轨道的第5区域进行了写入时的第2位置的平均值来读所述第4区域。 9.一种读/写处理方法,应用于磁盘装置,所述磁盘装置具备盘和对所述盘写数据、从 所述盘读数据的头,所述读/写处理方法包括: 将对所述盘的第1轨道和对所述第1轨道的一部分进行重叠写入的第2轨道进行了写入 时的所述头的位置信息写到所述第1轨道的第1区域,从所述第1区域开始相继地对所述第1 轨道和所述第2轨道进行读处理。 2 CN110517710B说明书1/20页 磁盘装置及读/写处理方法 [0001]本申请享受以日本专利申请2018-97935号(申请日:2018年5月22日)为基础申请 的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。 技术领域 [0002]本发明的实施方式涉及磁盘装置及读/写处理方法。 背景技术 [0003]近年来,开发了用于实现磁盘装置的高记录容量化的各种技术。作为这些技术之 一,存在被称为瓦记录方式(ShingledwriteMagneticRecording(SMR)或者Shingled WriteRecording(SWR))的记录技术。在瓦记录方式的磁盘装置中,在向磁盘写数据时,与 相邻的轨道(以下称为相邻轨道)的一部重叠地进行接下来的记录轨道的写入。在瓦记录方 式的磁盘装置中,被进行了重叠写入的轨道的宽度能够比未重叠写入的轨道的宽度窄。 发明内容 [0004]本发明的实施方式提供一种能够提高读处理性能的磁盘装置及读/写处理方法。 [0005]本实施方式涉
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