发明授权-2018115539450-磁记录再现装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110910909B
(45)授权公告日2021.07.13
(21)申请号201811553945.0(51)Int.Cl.
(22)申请日2018.12.19G11B5/31(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号(56)对比文件
申请公布号CN110910909ACN102915745A,2013.02.06
CN105609119A,2016.05.25
(43)申请公布日2020.03.24JP2013041637A,2013.02.28
(30)优先权数据US8351155B2,2013.01.08
2018-1735662018.09.18JPCN107134284A,2017.09.05
(73)专利权人株式会社东芝审查员严逸飞

地址日本东京都
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会
社
(72)发明人友田悠介木村香里竹尾昭彦
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
11247
代理人徐健段承恩权利要求书1页说明书14页附图10页
(54)发明名称
磁记录再现装置
(57)摘要
实施方式提供一种抑制磁通控制层的氧化
且具有高可靠性的磁记录再现装置。实施方式的
磁记录再现装置包括设置于主磁极与辅助磁极
之间的磁通控制层和设置于辅助磁极的ABS的保
护层。磁通控制层包括设置于第1导电层与第2导
电层之间的、由包含Fe、Co或Ni中的至少1种的磁
性材料形成的调整层，通过通电而产生自旋转
矩，使调整层内的磁化的方向反转。施加于磁通
控制层的电压Vb比由下式(1)表示的Vba低。Vba

＝Vb0‑a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)。
CN110910909B
CN110910909B权利要求书1/1页

1.一种磁记录再现装置，所述磁记录再现装置具备具有磁记录层的旋转自如的盘状记
录介质、以及对所述记录介质记录信息的磁记录头，
所述磁记录头包括：
空气支承面；
主磁极，其具有延伸至所述空气支承面的前端部，并产生垂直方向的记录磁场；
辅助磁极，其与所述主磁极的所述前端部隔着写间隙而相向，并与所述主磁极一起构
成磁芯；
磁通控制层，其包括第1导电层、调整层及第2导电层，并通过通电而产生自旋转矩，使
所述调整层内的磁化的方向反转，所述第1导电层设置在所述主磁极上，所述调整层层叠于
所述第1导电层，并由包含铁、钴或镍中的至少1种的磁性材料形成，所述第2导电层将所述
调整层与所述辅助磁极电连接；以及
保护层，其设置于所述主磁极、所述磁通控制层以及所述辅助磁极的所述空气支承面，
向所述磁通控制层施加的电压Vb比由以下式(1)表示的电压Vba低，

Vba＝Vb0‑a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)

在式(1)中，Vb0为能够施加于磁通控制层的最大电压，t为保护层的膜厚、且单位为nm，

RH为装置内气氛的相对湿度，PO2为装置气氛的氧分压、且单位为Pa，a为每个装置的系数。
2.根据权利要求1所述的磁记录再现装置，
所述保护层具有1.0～2.5nm的膜厚。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录再现装置，
所述保护层包括由类金刚石碳形成的表面层。
4.根据权利要求1或2所述的磁记录再现装置，
施加于所述磁通控制层的电压Vb为100～300mV。
5.根据权利要求1或2所述的磁记录再现装置，
工作中的磁通控制层的温度为5～150℃。
6.根据权利要求1或2所述的磁记录再现装置，
在所述磁记录头处于工作中时，所述磁记录头的周围气氛具有80％以下的湿度。
7.根据权利要求1或2所述的磁记录再现装置，
所述磁记录头的周围气氛在将所述记录再现装置内的空气整体的压力设为100％时具
有20％以下的氧分压。
8.根据权利要求1或2所述的磁记录再现装置，
还具备与所述磁记录头连接的电压控制部，
所述电压控制部进行控制以使得向所述磁通控制层施加的电压Vb比由所述式(1)表示
的电压Vba低。

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CN110910909B说明书1/14页

磁记录再现装置

[0001]相关申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2018‑173566号(申请日：2018年9月18日)为基础申请
的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及磁记录再现装置。

背景技术
[0004]在具有磁通控制层(自旋转矩辅助元件)的辅助磁记录头中，通过控制写间隙的磁
场，从而增强向介质施加的磁场，由此在现有的头中也能够对难以记录的介质进行记录。但
是，在使用了辅助磁记录头的记录方式中，为了体现辅助效果，需要使磁通控制层通电。然
而，由于通过该通电而磁通控制层会