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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN110295350B (45)授权公告日2022.01.11 (21)申请号201910213184.2(51)Int.Cl. (22)申请日2019.03.20C23C14/34(2006.01) C23C14/50(2006.01) (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号CN110295350A审查员王姗 (43)申请公布日2019.10.01 (30)优先权数据 2018-0552652018.03.22JP 2018-1285532018.07.05JP (73)专利权人芝浦机械电子装置株式会社 地址日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目 5番1号(邮编:247-8610) (72)发明人川又由雄 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理 有限公司11205 代理人杨贝贝臧建明权利要求书2页说明书23页附图23页 (54)发明名称 真空处理装置 (57)摘要 本发明提供一种可抑制反应气体的泄漏的 真空处理装置及托盘。本发明的真空处理装置包 括:腔室(20),可将内部设为真空;旋转平台 (31),设置于腔室(20)内,以将旋转平台(31)的 旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送工 件(W);多个托盘(1),搭载于旋转平台(31),并载 置工件(W);以及处理部,将反应气体(G)导入至 通过旋转平台(31)而搬送的工件(W)的周围,并 利用等离子体进行规定处理;并且处理部具有: 在和托盘(1)的与处理部相向的面之间,空开能 够供载置于托盘(1)的工件(W)经过的间隔,并沿 着旋转平台(31)的径方向配置的屏蔽构件(8)、 屏蔽构件(58),多个托盘(1)的相向于处理部的 面具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部 分。 CN110295350B CN110295350B权利要求书1/2页 1.一种真空处理装置,其特征在于,包括: 腔室,能够将内部设为真空; 旋转平台,设置于所述腔室内,以将所述旋转平台的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹 而循环搬送工件; 多个托盘,搭载于所述旋转平台,并载置所述工件;以及 处理部,将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进 行规定处理;并且 所述处理部具有屏蔽构件,所述屏蔽构件在和所述托盘的与所述处理部相向的面之 间,空开能够供载置于所述托盘的所述工件经过的间隔,所述屏蔽构件沿着所述旋转平台 的径方向配置, 多个所述托盘的相向于所述处理部的面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一 平面的部分, 经过所述间隔的所述托盘的相向于所述处理部的所述面与相向于所述面的所述屏蔽 构件之间的间隔为一定。 2.根据权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:所述工件在相向于所述处理部的 面具有凸部, 所述屏蔽构件具有沿所述工件的所述凸部的凹部。 3.根据权利要求2所述的真空处理装置,其特征在于:所述托盘在相向于所述处理部的 面具有沿所述屏蔽构件的所述凹部的凸部。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置,其特征在于:在所述屏蔽构件上 设置有对要成膜的膜的膜厚分布进行调整的调整部。 5.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置,其特征在于:所述旋转平台具有 对所述托盘的位置进行限制的限制部。 6.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置,其特征在于:所述托盘具有供所 述工件嵌入的嵌入部。 7.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置,其特征在于:所述处理部包括通 过溅射来使成膜材料堆积于所述工件而形成膜的成膜部。 8.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置,其特征在于:所述处理部包括膜 处理部,所述膜处理部进行使形成于所述工件的膜与反应气体反应的膜处理。 9.一种真空处理装置,其特征在于,包括: 腔室,能够将内部设为真空; 旋转平台,设置于所述腔室内,以圆周的轨迹而循环搬送工件;以及 处理部,将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进 行规定处理;并且 所述工件在相向于所述处理部的面具有凸部, 所述处理部具有屏蔽构件,所述屏蔽构件与通过所述旋转平台而搬送的所述工件空开 间隔且相向,并具有沿所述工件的所述凸部的凹部, 在所述旋转平台的表面设置有沿所述屏蔽构件的所述凹部的凸部, 所述旋转平台的所述凸部的表面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的 2 CN110295350B权利要求书2/2页 部分, 经过所述间隔的所述旋转平台的所述表面与相向于所述表面的所述屏蔽构件之间的 间隔为一定。 10.根据权利要求9所述的真空处理装置,其特征在于:所述旋转平台具有搭载部,所述 搭载部通过搭载供所述工件载置的托盘,而在所述旋转平台的表面与所述托盘的表面产生
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