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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN111261198B (45)授权公告日2021.10.15 (21)申请号201910634858.6(51)Int.Cl. (22)申请日2019.07.15G11B5/31(2006.01) G11B5/60(2006.01) (65)同一申请的已公布的文献号G11B5/012(2006.01) 申请公布号CN111261198AG11B5/48(2006.01) (43)申请公布日2020.06.09(56)对比文件 (30)优先权数据US2014347969A1,2014.11.27 2018-2258372018.11.30JPCN105023584A,2015.11.04 (73)专利权人株式会社东芝CN105551507A,2016.05.04 地址日本东京都US2013050865A1,2013.02.28 专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US7092218B2,2006.08.15 社审查员李珊珊 (72)发明人松本拓也竹尾昭彦 (74)专利代理机构北京市中咨律师事务所 11247 代理人林娜段承恩权利要求书4页说明书14页附图19页 (54)发明名称 磁记录再现装置以及磁记录方法 (57)摘要 实施方式提供一种长期可靠性高的磁记录 再现装置以及磁记录方法。实施方式涉及的磁记 录再现装置具有磁头和控制磁头的悬浮高度的 系统。该系统包括主控制部、测定磁通控制层的 电阻值的电阻测定部、求出相对于初始电阻值的 电阻值变化率的运算部、与电阻值变化率对应地 决定记录用悬浮高度的决定部以及控制磁头的 悬浮高度的悬浮高度控制部。 CN111261198B CN111261198B权利要求书1/4页 1.一种磁记录再现装置,具备旋转自如的具有磁记录层的盘状的记录介质、对所述记 录介质记录信息的磁头以及控制所述磁头的悬浮高度的系统, 所述磁头包括: 空气支承面; 主磁极,其具有延伸到所述空气支承面的前端部,并产生垂直方向的记录磁场; 辅助磁极,其与所述主磁极的所述前端部隔开写间隙相对向,并与所述主磁极一起构 成磁芯; 线圈,其对所述主磁极和所述辅助磁极进行磁化; 磁通控制层,其包括设置于所述主磁极上的第1导电层、层叠于所述第1导电层且由包 含铁、钴和镍中的至少一个的磁性材料形成的调整层以及将所述调整层和所述辅助磁极电 连接的第2导电层; 保护层,其设置于所述主磁极、所述磁通控制层以及所述辅助磁极的所述空气支承面; 以及 磁性氧化物,其由于所述磁通控制层中的磁性材料被氧化而形成于所述磁通控制层的 所述空气支承面, 控制所述磁头的悬浮高度的系统包括: 主控制部,其控制所述磁头的记录/再现动作; 存储部,其包括保存所述磁头的使用初始的所述磁通控制层的初始电阻值的初始值存 储部; 电阻测定部,其测定所述磁通控制层的电阻值; 运算部,其从所述初始值存储部取得所述初始电阻值,运算所述磁通控制层的电阻值 相对于所述初始电阻值的比率来作为电阻值变化率; 决定部,其与随着向所述磁通控制层的通电时间的增加因所述磁性氧化物的形成而增 加的电阻值变化率对应地决定记录用悬浮高度;以及 悬浮高度控制部,其接受所述记录用悬浮高度信息,控制所述磁头的悬浮高度。 2.根据权利要求1所述的磁记录再现装置, 所述悬浮高度控制部使所述记录用悬浮高度增加。 3.根据权利要求1所述的磁记录再现装置, 所述存储部还包括:第1数据存储部,其存储与所述电阻值变化率对应地换算悬浮高度 的第1数据;第2数据存储部,其存储与所述悬浮高度对应地换算位错误率变化量的第2数 据;以及变化量基准值存储部,其存储位错误率的变化量基准值, 控制所述磁头的悬浮高度的系统还包括: 数据处理部,其基于从所述存储部取得的所述第1数据以及所述第2数据,根据由所述 电阻测定部测定出的电阻值求出所述电阻值变化率、所述记录用悬浮高度以及所述位错误 率变化量;和 位错误率变化量判定部,其判断所述位错误率变化量是否比所述位错误率的变化量基 准值小。 4.根据权利要求3所述的磁记录再现装置, 还包括线圈电流控制部,所述线圈电流控制部在由所述位错误率变化量判定部判定为 2 CN111261198B权利要求书2/4页 所述位错误率变化量为变化量基准值以上的情况下,增加向所述线圈施加的记录电流。 5.根据权利要求1所述的磁记录再现装置, 所述存储部还包括变化率基准值存储部,所述变化率基准值存储部存储第1电阻值变 化率基准值, 所述磁记录再现装置还包括判定部,所述判定部在所述决定部之前判断测定出的所述 电阻值是否比电阻值变化率基准值大, 所述决定部在测定出的所述电阻值比电阻值变化率基准值大的情况下决定所述记录 用悬浮高度。 6
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