发明授权-2019108055452-磁记录装置以及磁头.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111681683B
(45)授权公告日2022.01.07
(21)申请号201910805545.2(51)Int.Cl.
(22)申请日2019.08.29G11B5/31(2006.01)
G11B5/48(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN111681683A(56)对比文件
CN107180645A,2017.09.19
(43)申请公布日2020.09.18CN107180645A,2017.09.19
(30)优先权数据US2012126905A1,2012.05.24
2019-0439032019.03.11JPUS9640203B1,2017.05.02
(73)专利权人株式会社东芝US9355654B1,2016.05.31
地址日本东京都审查员严逸飞

专利权人东芝电子元件及存储装置株式会
社
(72)发明人成田直幸前田知幸
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
11247
代理人万利军段承恩权利要求书2页说明书18页附图14页
(54)发明名称
磁记录装置以及磁头
(57)摘要
本发明提供能够提高记录密度的磁记录装
置以及磁头。根据实施方式，磁记录装置包括磁
头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏
蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电
路至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路向
线圈供给着记录电流时，第1电路向第1端子与第
2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比
使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。
CN111681683B
CN111681683B权利要求书1/2页

1.一种磁记录装置，具备：
磁头，其包括磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所
述磁极电连接的第1端子、与所述第1屏蔽件电连接的第2端子以及线圈；
第1电路，其与所述第1端子以及所述第2端子电连接；以及
第2电路，其与所述线圈电连接，
所述第1电路至少实施第1工作，
在所述第1工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着记录电流时，所述第1电路向所述
第1端子与所述第2端子之间的电流路径供给第1电流，所述第1电流比使得所述电流路径的
电阻振荡的第2电流小，且所述第1电流的大小为所述第2电流的大小的1/5以上。
2.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1电路还实施第2工作，
在所述第2工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着所述记录电流时，所述第1电路向
所述电流路径供给所述第2电流。
3.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述电阻的振荡的频率为10GHz以上且50GHz以下。
4.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1电流的大小为所述第2电流的大小的1/2以上。
5.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第2电路向所述线圈供给记录电流、并且在所述电流路径中流动了所述第1电流时
的所述电阻相对于所述第1电流的变化的第1变化率,与所述第2电路向所述线圈供给记录
电流、并且在所述电流路径中流动了第3电流时的所述电阻相对于所述第3电流的变化的第
3变化率不同，所述第3电流的大小比所述第1电流的大小小。
6.根据权利要求1所述的磁记录装置，
还具备通过所述磁头被记录信息的磁记录介质，
所述电阻的振荡的频率与所述磁记录介质的磁共振频率之差的绝对值相对于所述磁
共振频率之比为50％以下。
7.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元
素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含
选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2导电层之间；
第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；
第3导电层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，包含第3元素，所述第3元
素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；以及
第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元
素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。

2
CN111681683B权利要求书2/2页
8.根据权利要求7所述的磁记录装置，
所述第1电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的方向。
9.根据权利要求7所述的磁记录装置，
所述第2电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的方向。