发明授权-2019114129928-磁盘装置以及写处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111627465B
(45)授权公告日2021.10.29
(21)申请号201911412992.8(51)Int.Cl.
(22)申请日2019.12.31G11B5/31(2006.01)
G11B5/11(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN111627465A(56)对比文件
US2014063658A1,2014.03.06
(43)申请公布日2020.09.04US2012147502A1,2012.06.14
(30)优先权数据JP2017037695A,2017.02.16
2019-0364862019.02.28JPUS8964332B1,2015.02.24
(73)专利权人株式会社东芝US8988826B2,2015.03.24
地址日本东京都审查员严逸飞

专利权人东芝电子元件及存储装置株式会
社
(72)发明人友田悠介
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
11247
代理人万利军段承恩权利要求书3页说明书11页附图8页
(54)发明名称
磁盘装置以及写处理方法
(57)摘要
实施方式涉及磁盘装置以及写处理方法。实
施方式的磁盘装置具备盘、头以及控制器。头具
有主磁极、写屏蔽件以及辅助元件，所述主磁极
具有盘的半径方向上的第1端部和与第1端部相
反侧的第2端部，所述写屏蔽件与主磁极空开间
隔地相对，所述辅助元件在主磁极与写屏蔽件之
间的间隔中设置在距第1端部的第1距离与距第2
端部的第2距离不同的位置。控制器向辅助元件
施加与写方向相应的电压，所述写方向是对第1
磁道重叠写入第2磁道的方向。
CN111627465B
CN111627465B权利要求书1/3页

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其具有主磁极、写屏蔽件以及辅助元件，所述主磁极具有所述盘的半径方向上的第
1端部和与所述第1端部相反侧的第2端部，所述写屏蔽件与所述主磁极空开间隔地相对，所
述辅助元件在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的所述间隔中设置于距所述第1端部的第1
距离与距所述第2端部的第2距离不同的位置；以及
控制器，其对所述辅助元件施加电压，所述电压是根据在预定的半径区域中在预定的
写方向上测定出的电压与辅助记录密度之间的关系而确定出的电压，所述写方向是对第1
磁道重叠写入第2磁道的方向。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器向所述辅助元件施加第1电压，所述第1电压是按所述写方向对所述第1磁
道重叠写入所述第2磁道时记录密度饱和的电压。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器向所述辅助元件施加第2电压，所述第2电压是按所述写方向对所述第1磁
道重叠写入所述第2磁道时记录密度饱和的多个第3电压中的最小的电压。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器向所述辅助元件施加第4电压，所述第4电压是比按所述写方向对所述第1
磁道重叠写入所述第2磁道时记录密度饱和的第5电压小的多个第6电压中的最大的电压。
5.根据权利要求1所述的磁盘装置，
在与按所述第1磁道的所述写方向中的第1方向重叠写入了所述第2磁道所得到的第1
区域的第1记录密度相比、按所述第1磁道的与所述第1方向反向的第2方向重叠写入了所述
第2磁道所得到的所述第1区域的第2记录密度较大的情况下，所述控制器在所述第1区域中
按所述第1磁道的所述第2方向重叠写入所述第2磁道。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器，在与按第1磁道的所述盘的半径方向上的第1方向写入了第2磁道所得到
的第1区域的第1记录密度相比、按所述第1磁道的与所述第1方向反向的第2方向写入了所
述第2磁道所得到的所述第1区域的第2记录密度较大的情况下，在所述第1区域中按所述第
1磁道的所述第2方向重叠写入所述第2磁道。
7.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器向所述辅助元件施加第1电压，所述第1电压是所述第2记录密度饱和的电
压。
8.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器向所述辅助元件施加第2电压，所述第2电压是所述第2记录密度饱和的多
个第3电压中的最小的电压。
9.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器向所述辅助元件施加第4电压，所述第4电压是比所述第2记录密度饱和的
第5电压小的多个第6电压中的最大的电压。
10.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述主磁极和所述辅助元件相互错开。

2
CN111627465B权利要求书2/3页
11.根据权利要求10所述的磁盘装置，
所述辅助元件相对于所述主磁极在所述第1方向上错开。
12.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器，在所述第1区域中按所述第1磁道的所述第1方向重叠写入所述第2磁道的
情况