发明授权-2020100245339-磁盘装置以及写数据的调整方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112151078B
(45)授权公告日2021.11.26
(21)申请号202010024533.9(51)Int.Cl.
(22)申请日2020.01.10G11B5/596(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号(56)对比文件
申请公布号CN112151078AUS2017133047A1,2017.05.11
CN101308683A,2008.11.19
(43)申请公布日2020.12.29CN107424630A,2017.12.01
(30)优先权数据CN1308813A,2001.08.15
2019-1218072019.06.28JPCN101512641A,2009.08.19
(73)专利权人株式会社东芝CN101046983A,2007.10.03
地址日本东京都CN1658318A,2005.08.24
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US9111578B1,2015.08.18
810954B1,2014.08.19
社US8
US6260257B1,2001.07.17
(72)发明人前东信宏友田悠介
审查员王向阳
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

11247
代理人刘静段承恩权利要求书2页说明书22页附图24页
(54)发明名称
磁盘装置以及写数据的调整方法
(57)摘要
实施方式提供能够提高访问性能的磁盘装
置以及写数据的调整方法。实施方式涉及的磁盘
装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述
盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道
中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区
写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重
写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记
录密度。
CN112151078B
CN112151078B权利要求书1/2页

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区写入的数
据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录
密度，
所述第1记录密度和在所述第1磁道中在与所述第1扇区相邻的第3扇区写入的数据的
第3记录密度不同。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1重写比基准值高，所述第2重写比所述基准值低。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1重写比基准值低，所述第2重写比所述基准值高。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第1扇区对所述第3扇区设定所述第3记录密度。
5.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在从与所述第1磁道不同的第2磁道向所述第1磁道的所述第1扇区的寻道
期间对所述第1扇区设定所述第1记录密度。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服
扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定所述第3记录密度。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第3扇区对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3
扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定与所述第3记录密度不同的第4记录密
度。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器以正弦波逼近的方式算出并保持所述第1磁道内的记录密度的变化。
9.根据权利要求8所述的磁盘装置，
所述控制器在执行所述正弦波逼近时对所述记录密度的变化的相位、振幅以及周期个
别地进行调整。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器对比所述第1磁道内的记录密度的变化的第1周期大的、与所述第1磁道相
比位于内侧的第3磁道内的记录密度的变化的第2周期进行调整。
11.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其在所述盘的第1磁道中，在比基准值低的第1重写的第1扇区提高在所述第1
扇区中写入的数据的第1记录能力，降低在比所述基准值高的第2重写的第2扇区写入的数
据的第2记录能力，
所述第1记录能力和在所述第1磁道中在与所述第1扇区相邻的第3扇区写入的数据的

2
CN112151078B权利要求书2/2页
第3记录能力不同。
12.根据权利要求11所述的磁盘装置，
所述控制器对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服
扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定所述第3记录能力。
13.根据权利要求11所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第3扇区对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3
扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定与所述第3记录