发明授权-2020100450545-磁盘装置及写入处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112447195B
(45)授权公告日2022.04.01
(21)申请号202010045054.5G11B5/48(2006.01)
(22)申请日2020.01.16(56)对比文件
(65)同一申请的已公布的文献号US8699159B1,2014.04.15
申请公布号CN112447195AUS9111578B1,2015.08.18
US2018330748A1,2018.11.15
(43)申请公布日2021.03.05CN106920561A,2017.07.04
(30)优先权数据CN103165142A,2013.06.19
2019-1548132019.08.27JPCN105723319A,2016.06.29
(73)专利权人株式会社东芝US2019244638A1,2019.08.08
地址日本东京都CN106205643A,2016.12.07
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US2012069466A1,2012.03.22
6293506A,2017.01.04
社CN10
JP2019053800A,2019.04.04
(72)发明人友田悠介US2014055881A1,2014.02.27
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所马留英等.高性能混合结构的瓦记录磁盘系
11247统的设计与实现.《高技术通讯》.2017,
代理人李智段承恩审查员王向阳

(51)Int.Cl.
G11B5/02(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图14页
(54)发明名称
磁盘装置及写入处理方法
(57)摘要
实施方式提供能够提高记录密度的磁盘装
置及写入处理方法。实施方式的磁盘装置具备：
盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读出数据；
及控制器，执行在所述盘的半径方向上划分出的
第1区域中以第1线记录密度在所述半径方向上
隔开间隔而对多个磁道进行写入的通常记录处
理和在所述第1区域中以第1线记录密度以下的
第2线记录密度在所述半径方向上对多个磁道进
行覆写的瓦记录处理中的至少一方。
CN112447195B
CN112447195B权利要求书1/2页

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，对所述盘写入数据，从所述盘读出数据；及
控制器，执行在所述盘的半径方向上划分出的第1区域中以第1线记录密度在所述半径
方向上隔开间隔而对多个磁道进行写入的通常记录处理和在所述第1区域中以第1线记录
密度以下的第2线记录密度在所述半径方向上对多个磁道进行覆写的瓦记录处理中的至少
一方，
所述控制器在所述第1区域中以所述第2线记录密度和与所述第2线记录密度之积成为
最大的磁道密度执行所述瓦记录处理。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
在所述第1区域中以所述第1线记录密度在所述半径方向上隔开间隔而对多个磁道进
行了写入的第1记录密度，比在所述第1区域中以所述第2线记录密度在所述半径方向上对
多个磁道进行了覆写的第2记录密度小10％～23％。
3.根据权利要求1或2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1区域中以与所述第1线记录密度对应的第1记录电流执行所述通
常记录处理，在所述第1区域中以与所述第2线记录密度对应的第2记录电流执行所述瓦记
录处理。
4.根据权利要求1或2所述的磁盘装置，
所述第1线记录密度在能够变更的范围内相当于最大值。
5.根据权利要求1或2所述的磁盘装置，
所述头具有辅助元件，
所述控制器在所述第1区域中将与所述第1线记录密度对应的第1电流向所述辅助元件
施加来执行所述通常记录处理，在所述第1区域中将与所述第2线记录密度对应的第2电流
向所述辅助元件施加来执行所述瓦记录处理。
6.一种磁盘装置，具备：
盘，具有在半径方向上划分出的第1区域中以第1线记录密度在所述半径方向上隔开间
隔而被进行了写入的多个第1磁道和在所述第1区域中以第1线记录密度以下的第2线记录
密度在所述半径方向上被进行了覆写的多个第2磁道；
头，对所述盘写入数据，从所述盘读出数据；
控制器，执行在所述半径方向上隔开间隔而对多个磁道进行写入的通常记录处理和在
所述半径方向上对多个磁道进行覆写的瓦记录处理中的至少一方，
所述控制器在所述第1区域中以所述第2线记录密度和与所述第2线记录密度之积成为
最大的磁道密度执行所述瓦记录处理。
7.一种写入处理方法，应用于具备盘和对所述盘写入数据、从所述盘读出数据的头的
磁盘装置，
执行在所述盘的半径方向上划分出的第1区域中以第1线记录密度在所述半径方向上
隔开间隔而对多个磁道进行写入的通常记录处理和在所述第1区域中以第1线记录密度以
下的第2线记录密度在所述半径方向上对多个磁道进行覆写的瓦记录处理中的至