发明授权-2020105645997-磁盘装置以及头的调整方法.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113284518B
(45)授权公告日2022.12.02
(21)申请号202010564599.7(51)Int.Cl.
(22)申请日2020.06.19G11B5/09(2006.01)
G11B5/39(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号G11B21/02(2006.01)
申请公布号CN113284518AG11B5/012(2006.01)
(43)申请公布日2021.08.20(56)对比文件
(30)优先权数据US2004246616A1,2004.12.09
2020-0260192020.02.19JPUS9082458B1,2015.07.14
(73)专利权人株式会社东芝CN106960674A,2017.07.18
地址日本东京都US2013279039A1,2013.10.24
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US2004021975A1,2004.02.05
012863A1,2016.01.14
社US2016
审查员李珊珊
(72)发明人大竹雅哉竹尾昭彦

(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
11247
专利代理师万利军段承恩权利要求书2页说明书26页附图9页
(54)发明名称
磁盘装置以及头的调整方法
(57)摘要
实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及
头的调整方法。磁盘装置具备：第1盘，具有第1
面；第2盘，具有与第1面不同的第2面；第1头，具
有第1写入头和第1辅助元件，第1写入头以第1记
录密度向第1面写入数据，第1辅助元件使得朝向
第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能
量；第2头，具有第2写入头和第2辅助元件，第2写
入头以第2记录密度向第2面写入数据，第2辅助
元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入
性能的第2能量；及控制器，根据能够用第1头向
第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2
盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记
录密度中的至少一方进行变更。
CN113284518B
CN113284518B权利要求书1/2页

1.一种磁盘装置，具备：
第1盘，其具有第1面；
第2盘，其具有与所述第1面不同的第2面；
第1头，其具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面
写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1
能量；
第2头，其具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面
写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2
能量；以及
控制器，其根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头
向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方
进行变更，
所述控制器根据所述第1记录容量和所述第2记录容量来对向所述第1辅助元件供给的
第3能量和向所述第2辅助元件供给的第4能量中的至少一方进行变更。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1记录容量和所述第2记录容量的合计容量比向所述第1面写入的
数据容量的第1目标值和向所述第2面写入的数据容量的第2目标值的合计目标值大的情况
下，使所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方减少，使所述第3能量和所述第4
能量中的至少一方减少。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在对所述第3能量进行了变更的情况下的所述第1辅助元件的寿命的第1变
化量比对所述第4能量进行了变更的情况下的所述第2辅助元件的寿命的第2变化量大的情
况下，使所述第1记录密度减少，使所述第3能量减少。
4.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第3能量相对于能够向所述第1辅助元件供给的第1上限能量的第1
比率比所述第4能量相对于能够向所述第2辅助元件供给的第2上限能量的第2比率大的情
况下，使所述第1记录密度减少，使所述第3能量减少。
5.根据权利要求3或者4所述的磁盘装置，
所述第1记录密度是线记录密度。
6.根据权利要求5所述的磁盘装置，
所述控制器使以所述第1头向所述第1面写入数据时的磁道密度增加。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1记录容量和所述第2记录容量的合计容量比向所述第1面写入的
数据容量的第1目标值和向所述第2面写入的数据容量的第2目标值的合计目标值小的情况
下，使所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方增大，使所述第3能量和所述第4
能量中的至少一方增大。
8.根据权利要求7所述的磁盘装置，
所述控制器在对所述第3能量进行了变更的情况下的所述第1辅助元件的寿命的第1变
化量比对所述第4能量进行了