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发明授权-2020107094202-磁盘装置.pdf 立即下载
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发明授权-2020107094202-磁盘装置.pdf

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(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113345475B
(45)授权公告日2023.01.17
(21)申请号202010709420.2(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
(22)申请日2020.07.2211247
专利代理师张洁段承恩
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号CN113345475A(51)Int.Cl.
G11B5/60(2006.01)
(43)申请公布日2021.09.03G11B5/00(2006.01)
(30)优先权数据(56)对比文件
2020-0348652020.03.02JPCN105374369A,2016.03.02
(73)专利权人株式会社东芝US2014347969A1,2014.11.27
地址日本东京都CN106710607A,2017.05.24
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会CN102402989A,2012.04.04
社JP2006269005A,2006.10.05
US2014168808A1,2014.06.19
(72)发明人冈田未央渡边彻小泉岳
友田悠介CN103106904A,2013.05.15
审查员郭晓冰

权利要求书2页说明书18页附图19页
(54)发明名称
磁盘装置
(57)摘要
实施方式提供能够在抑制用于辅助功能的
元件的劣化的发展并且维持读写特性的同时继
续使用的磁盘装置。根据实施方式,磁盘装置具
备:磁盘;磁头,其包括辅助向所述磁盘记录数据
的辅助部;控制部,其基于记录条件来控制所述
磁头的数据记录;以及存储器,其存储第1阈值,
该第1阈值是规定所述辅助部所包含的辅助元件
处于劣化状态的阈值。另外,所述控制部检测所
述辅助元件的状态,基于该检测的状态和存储于
所述存储器的所述第1阈值,判定是否变更所述
记录条件,并根据其判定结果,变更所述记录条
件。
CN113345475B
CN113345475B权利要求书1/2页

1.一种磁盘装置,具备:
磁盘;
磁头,其包括辅助向所述磁盘记录数据的辅助部;
控制部,其基于记录条件来控制所述磁头的数据记录;以及
存储器,其存储第1阈值,该第1阈值是规定所述辅助部所包含的辅助元件处于劣化状
态的阈值,
所述控制部检测所述辅助元件的状态,基于该检测的状态和存储于所述存储器的所述
第1阈值,判定是否变更所述记录条件,并根据其判定结果,变更所述记录条件,
所述辅助元件是高频振荡元件,
所述辅助部是使用所述高频振荡元件的高频辅助记录部,
所述控制部所检测的所述高频振荡元件的状态是所述高频振荡元件的电阻值,
所述控制部在判定为所检测的所述电阻值超过了所述第1阈值的情况下,以降低对所
述高频振荡元件施加的电压值并且使相对于所述磁盘的记录面的所述磁头的悬浮量减少
的方式变更所述记录条件。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述存储器存储第1关系映射,该第1关系映射是表示所述磁头的寿命与所述悬浮量的
关系的映射,
所述控制部根据所述第1关系映射,在能够维持预定期间的所述磁头的寿命的范围内,
调整所述悬浮量的减少。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述存储器除了所述第1阈值之外还存储第2阈值,与所述第1阈值相比,该第2阈值是
规定所述高频振荡元件处于更加劣化的状态的阈值,
所述控制部在判定为所述电阻值超过了所述第1阈值的情况下,以降低对所述高频振
荡元件施加的电压并且使相对于所述磁盘的记录面的所述磁头的悬浮量减少的方式变更
所述记录条件,进而,在判定为所述电阻值超过了所述第2阈值的情况下,以停止对所述高
频振荡元件施加的电压并且使所述悬浮量进一步减少的方式变更所述记录条件。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述存储器存储第3阈值,该第3阈值是规定误比特率处于恶化状态的阈值,
所述控制部除了检测所述高频振荡元件的电阻值之外,还检测由所述磁头进行数据记
录时的所述误比特率,基于该所检测的误比特率的状态和存储于所述存储器的所述第3阈
值,判定是否变更所述记录条件,并根据其判定结果,变更所述记录条件。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置,
所述控制部在判定为所述误比特率超过了所述第3阈值的情况下,以使相对于所述磁
盘的记录面的所述磁头的悬浮量减少的方式变更所述记录条件。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述存储器存储第2关系映射,该第2关系映射是表示相对于对所述高频振荡元件施加
电压的累计时间的、包括所述高频振荡元件的所述磁头的寿命的关系的映射,
所述控制部除了检测所述高频振荡元件的电阻值之外,还检测所述累计时间,根据所
述第2关系映射,在该检测出的累计时间是表示寿命的时间的情况下,停止对所述高频振荡

2
CN113345475B权利要求书2/2页
元件施
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