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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号CN112300057B (45)授权公告日2022.04.19 (21)申请号202011117829.1(56)对比文件 US20170213 (22)申请日2020.10.19652A1,2017.07.27 CN111548342A,2020.08.18 (65)同一申请的已公布的文献号HuiqiangLu,等.Holetransport 申请公布号CN112300057Amaterialsbasedonatwistedmolecular (43)申请公布日2021.02.02structurewithasinglearomatic (73)专利权人华南师范大学heterocycliccoretoboostthe 地址510006广东省广州市广州大学城华performanceofconventionalperovskite 南师范大学理五栋华南先进光电子研solarcells.《J.Mater.Chem.C》.2020,第8 究院卷(第38期),13415-13421.(续) (72)发明人姜月龚志明王茹审查员史娇阳 (74)专利代理机构广州知友专利商标代理有限 公司44104 代理人宣国华刘艳丽 (51)Int.Cl. C07D209/88(2006.01) C07D401/14(2006.01) C07D403/14(2006.01) H01L51/46(2006.01) H01L51/42(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图11页 (54)发明名称 一种D-A-D型空穴传输材料及其合成方法和 应用 (57)摘要 本发明公开了一种D‑A‑D型空穴传输材料, 以N3,N3,N6,N6‑四(4‑甲氧基苯基)‑9H‑咔唑‑3, 6‑二胺即D作为给电子部分,以含氮六元杂环即A 作为吸电子核心,构成D‑A‑D型空穴传输材料,还 公开了上述D‑A‑D型空穴传输材料的合成工艺, 以及上述D‑A‑D型空穴传输材料在制备反式钙钛 矿太阳能电池中的应用,和利用上述D‑A‑D型空 穴传输材料制成的反式钙钛矿太阳能电池。该D‑ A‑D型空穴传输材料具有较高的玻璃化转变温度 和较高的空穴迁移率,可有效提高电池寿命,制 备的反式钙钛矿太阳能电池器件稳定性好,可以 获得较高的光电转换效率;该合成方法步骤简 CN112300057B洁,原料来源广泛,成本低廉。 [转续页] CN112300057B2/2页 [接上页] (56)对比文件PerovskiteSolarCellsFabrication.《ACS WeiYu,等.SimpleIsBest:Ap-Appl.Mater.Interfaces》.2020,第12卷 PhenyleneBridgingMethoxydiphenylamine-22881-22890. SubstitutedCarbazoleHoleTransporter杨英,等.反式钙钛矿太阳能电池研究进展. forHigh-PerformancePerovskiteSolar《化学学报》.2019,第77卷964-976. Cells.《ACSAppliedMaterials&RuWang,等.Fluorinatedinterfacial Interfaces》.2019,第11卷(第33期),30065-layersinperovskitesolarcells: 30071.efficientenhancementofthefillfactor. PengHuang,等.PyridineBridging《J.Mater.Chem.A》.2020,第8卷16527- Diphenylamine-CarbazolewithLinking16533. TopologyasRationalHoleTransporterfor 2 CN112300057B权利要求书1/1页 1.D‑A‑D型空穴传输材料在制备反式钙钛矿太阳能电池中的应用,其中所述D‑A‑D型空 穴传输材料具体的结构式为TM‑1~TM‑4,具体如下所示: ; 所述反式钙钛矿太阳能电池的结构包括透明基底层、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子 传输层、空穴阻挡层和金属电极层,其中所述空穴传输层包括D‑A‑D型空穴传输材料。 2.根据权利要求1所述的应用,其特征是:所述透明基底层为透明导电玻璃ITO;所述空 穴传输层的厚度为10~20nm;所述钙钛矿活性层的材料为碘化铅甲胺,厚度为350~450nm; 所述电子传输层的材料为[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸异甲酯,厚度为20~50nm;所述空穴阻挡层 的材料为2,9‑二甲基‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲啰啉,厚度为10~20
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