发明授权-2020101689017-磁头及磁记录装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112466340B
(45)授权公告日2022.04.12
(21)申请号202010168901.7G11B5/31(2006.01)
(22)申请日2020.03.12(56)对比文件
(65)同一申请的已公布的文献号US8879205B2,2014.11.04
申请公布号CN112466340AUS8879205B2,2014.11.04
US2014177100A1,2014.06.26
(43)申请公布日2021.03.09CN105321530A,2016.02.10
(30)优先权数据CN105825874A,2016.08.03
2019-1630292019.09.06JPCN1495712A,2004.05.12
(73)专利权人株式会社东芝CN101556803A,2009.10.14
地址日本东京都CN1967661A,2007.05.23
专利权人东芝电子元件及存储装置株式会US2005219745A1,2005.10.06
092550A,2010.04.22
社JP2010
US2015162041A1,2015.06.11
(72)发明人高岸雅幸成田直幸前田知幸US2009257144A1,2009.10.15
首藤浩文永泽鹤美菅原克也US2009257144A1,2009.10.15
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所浩仁等.120mm光盘的历史与现状.《信息记
11247录材料》.2002,第3卷(第3期),
代理人万利军段承恩审查员薛美媛

(51)Int.Cl.
G11B5/11(2006.01)权利要求书1页说明书14页附图16页
(54)发明名称
磁头及磁记录装置
(57)摘要
提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁
记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏
蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的
第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏
蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层
与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述
磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁
性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为
所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1
方向的第2距离的1％以上且10％以下。
CN112466340B
CN112466340B权利要求书1/1页

1.一种磁记录装置，具备：
磁头；和
通过所述磁头被记录信息的磁记录介质，
所述磁头具备：
磁极；
第1屏蔽件；
设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层；
设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层；和
设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层，
所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向
的第1距离,为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且
10％以下，
所述磁记录介质中的最短位长为所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1
方向的第3距离的0.5倍以上且0.78倍以下。
2.如权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1距离为1nm以上且4nm以下。
3.如权利要求1所述的磁记录装置，
还具备设置于所述磁极与所述第1磁性层之间的第1非磁性层,所述第1非磁性层包含
选自由Ru、Ta、Cr及Ti构成的组中的至少1种，
所述第1非磁性层的沿着所述第1方向的厚度为3nm以下。
4.如权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1磁性层的沿着所述第1方向的第1厚度为所述第2距离的20％以上且40％以下。
5.如权利要求1所述的磁记录装置，
所述第2磁性层的沿着所述第1方向的厚度比所述第1磁性层的沿着所述第1方向的第1
厚度薄。
6.如权利要求1所述的磁记录装置，
所述磁极包括介质对置面，
所述第1磁性层的沿着第2方向的第1宽度比所述磁极的沿着所述第2方向的第2宽度
宽，所述第2方向沿着所述介质对置面且与所述第1方向交叉。
7.如权利要求1所述的磁记录装置，
所述磁极包括介质对置面，
所述第1磁性层的沿着第3方向的第3长度为所述第1磁性层的沿着第2方向的第1宽度
的0.9倍以上，
所述第2方向沿着所述介质对置面且与所述第1方向交叉，
所述第3方向与包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉。

2
CN112466340B说明书1/14页

磁头及磁记录装置

[0001]本申请以日本专利申请2019‑163029(申请日：2019年9月6日)为基础，根据该申请
享有优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的所有内容。

技术领域
[0002]本发明的实施方式涉及磁头及磁记录装置。

背景技术
[0003]使用磁头而向硬盘驱动器即HDD(