发明公布-201210078578X-发光装置工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102610721A*
(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102610721A
(43)申请公布日2012.07.25
(21)申请号201210078578.X
(22)申请日2005.06.28
(30)优先权数据
10/896,6062004.07.22US
(62)分案原申请数据
200580031725.62005.06.28
(71)申请人发光装置公司
地址美国马萨诸塞州
(72)发明人亚历克斯易·A·尔恰克
迈克尔·利姆斯科特·W·邓肯
约翰·W·格拉夫米兰·S·明斯克
马特·韦格
(74)专利代理机构上海金盛协力知识产权代理
有限公司31242
代理人段迎春
(51)Int.Cl.
H01L33/04(2010.01)

权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书3636页页附图附图5252页
(54)发明名称
发光装置工艺
(57)摘要
本发明揭露了发光装置，以及相关组件、工
艺、系统及方法。
CN10267A
CN102610721A权利要求书1/2页

1.一种方法，包括：
设置包括基底、半导体层及量子阱包含区域的多层堆叠；
蚀刻所述量子阱包含区域的至少一部分以设置已蚀刻多层堆叠，所述多层堆叠包括多
个由所述基底支撑的台面；
将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座；
从所述台面的顶表面移除所述基底，其中移除所述基底包括将所述半导体层曝露于电
磁辐射以部分地分解所述半导体层；
对至少一个所述台面的顶表面刻图；及
从至少一个所述台面形成发光装置。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光装置为发光二极管。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射照射所述台面的一部分。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射交叠所述台面的一条边沿。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射交叠所述台面的两条边沿。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电磁束的形状与所述台面的形状匹配。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层堆叠为晶圆的形式。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个台面中的特定一个的边长为至少
1mm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子基座包括选自由锗、硅、砷化镓、碳化
硅、铜、铜-钨、银-钨、钼、金刚石、金刚石-铜、镍-钴及其组合所构成之组群的材料。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射包括所述半导体层的吸收波
长。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层经由所述基底曝露于所述电
磁辐射。
12.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述基底曝露于所述电磁辐射之后对所
述多层堆叠加热。
13.如权利要求1所述的方法，进一步包括在移除所述基底之后处理所述半导体层。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座之
后，所述多层堆叠进一步包括所述子基座与所述半导体层之间的p掺杂半导体层。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从至少一个所述台面形成发光装置包括从
所述台面的至少10％形成至少一个发光装置。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层由所述多层堆叠中的所述基
底支撑。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量子阱包含区域由所述半导体层支
撑。
18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少一个所述台面的高度为1/2微米。
19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述量子阱包含区域包括蚀刻所述半
导体层的一部分。
20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述量子阱包含区域包括蚀穿所述半
导体层以曝露所述基底。
2
CN102610721A权利要求书2/2页
21.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对至少一个所述台面的顶表面刻图包括：
在所述多个台面的至少一些上沉积阻挡材料；及
使用模型压印所述阻挡材料。
22.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对至少一个所述台面的顶表面刻图包括：
在至少一些所述台面的所述表面上形成自组装纳米颗粒阵列。
23.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
设置包括多个由基底支撑的台面的已蚀刻多层堆叠，至少一些所述台面包括半导体层
及量子阱包含区域；
将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座；
从所述台面的顶表面移除所述基底，其中移除所述基底包括将所述半导体层曝露于电
磁辐射以部分地分解所述半导体层；及
从至少一个所述台面形成至少一个发光装置，所述发光装置的表面被变得粗糙以具有
随机分布特征。
24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述台面包括量子阱包含区域。
25.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述多个台面中的特定的一个的边长为
至少1m